[发明专利]一种基于光刻工艺实现阵列图案的方法

权利要求书

1.一种制备碗状阵列图案的方法，按照如下步骤进行：

步骤100，根据所需制备图案“碗”的直径和高度大小，选择光刻掩膜版，光刻掩膜版的开孔是圆形，且开孔的孔径与图案“碗”的直径匹配；

步骤200，采用光刻工艺在衬底上形成单层光刻胶，通过光刻工艺技术对所述单层光刻胶上进行初始图案化，在衬底上形成一层具有阵列结构的光刻胶，包含光刻胶开孔；

步骤300，采用材料沉积技术在初始图案结构表面沉积生长材质层，材料沉积后图案由三部分构成：光刻胶开孔的底部与衬底接触处生长材质层，光刻胶开孔的壁上的生长材质层和光刻胶表面生长材质层；

步骤400，采用溶液法浸泡剥离技术，去除衬底表面的所有光刻胶，由上述光刻胶开孔壁上的材质层与衬底接触的材质层两部分因底部相互连接组成一个类似“碗”状结构的阵列图案，其中

在由上述光刻胶开孔壁上的材质层与衬底接触的材质层所形成的“碗”状凹槽里，不使用光刻掩膜版，根据需要和使用要求，再次在“碗”状图案基础上，生长第二种材料，构建二次新图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单层光刻胶为厚胶且垂直性好。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述单层光刻胶的厚度大于等于所述材质层的厚度的3倍。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述材质层不与所述单层光刻胶发生物理变化和化学变化。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述材质层的材料为硬金属。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述材质层的摩尔硬度值至少为2.5。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤300中的材料沉积技术为采用非垂直镀膜的工艺，并在所述初始图案上进行目标材料沉积时，可根据需求进行单层材料沉积或多层材料沉积。