[发明专利]测量装置及方法有效
申请号: | 202010255215.3 | 申请日: | 2020-04-02 |
公开(公告)号: | CN111430257B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 刘云飞 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/027 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 刘鹤;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 装置 方法 | ||
1.一种测量装置,其特征在于,包括:
光源产生单元,用于发射一束光线,发射的光线具有相同的方向;
分光单元,用于将所述光源产生单元发射的光线进行分光处理;分光处理后的光线具有多个方向;所述分光处理后的光线在晶圆的光阻材料薄膜表面上的N个区域处,及所述晶圆的基底结构上的对应地N个区域处均形成反射光线;所述光阻材料薄膜设置在所述基底结构上;通过刻蚀所述光阻材料薄膜,以对基底结构的相应位置进行刻蚀,从而形成台阶结构;所述反射光线均具有多个方向;所述N为大于1的正整数;
光线接收单元,用于接收所述反射光线;
数据处理单元,同于基于所述光线接收单元接收的反射光线,确定所述N个区域处的台阶结构对应的光阻材料薄膜的刻蚀尺寸。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述分光单元包括光栅。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,在形成台阶结构的过程中,所述晶圆设置在刻蚀装置的刻蚀反应腔中;所述光线接收单元设置在所述刻蚀反应腔的腔壁上。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述分光单元的几何中心与所述光源产生单元的几何中心以及所述晶圆的几何中心位于一条直线上;
所述数据处理单元,具体用于:
根据反射光线中不同方向光线的接收时刻,将接收的反射光线划分成N组反射光线;
利用所述N组反射光线,确定相应台阶结构对应的光阻材料薄膜的刻蚀尺寸。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述数据处理单元,具体用于:
利用所述N组反射光线的强度,确定相应台阶结构对应的光阻材料薄膜的厚度;
根据所述相应台阶结构对应的光阻材料薄膜的厚度,确定相应台阶结构对应的光阻材料薄膜的刻蚀尺寸。
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述光阻材料薄膜的材料包括光刻胶。
7.一种测量方法,其特征在于,所述方法包括:
测量装置的光源产生单元发射一束光线,发射的光线具有相同的方向;
所述测量装置的分光单元将所述光源产生单元发射的光线进行分光处理;分光处理后的光线具有多个方向;所述分光处理后的光线在晶圆的光阻材料薄膜表面上的N个区域处,及所述晶圆的基底结构上的对应地N个区域处均形成反射光线;所述光阻材料薄膜设置在所述基底结构上;通过刻蚀所述光阻材料薄膜,以对基底结构的相应位置进行刻蚀,从而形成台阶结构;所述反射光线均具有多个方向;所述N为大于1的正整数;
所述测量装置的光线接收单元接收所述反射光线;
所述测量装置的数据处理单元基于所述光线接收单元接收的反射光线,确定所述N个区域处的台阶结构对应的光阻材料薄膜的刻蚀尺寸。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述分光单元包括光栅;所述测量装置的分光单元将所述光源产生单元发射的光线进行分光处理,包括:
所述测量装置的光栅将所述光源产生单元发射的光线进行分光处理。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述基于所述光线接收单元接收的反射光线,确定所述N个区域处的台阶结构对应的光阻材料薄膜的刻蚀尺寸,包括:
根据反射光线中不同方向光线的接收时刻,将接收的反射光线划分成N组反射光线;
利用所述N组反射光线,确定相应台阶结构对应的光阻材料薄膜的刻蚀尺寸;
其中,所述分光单元的几何中心与所述光源产生单元的几何中心以及所述晶圆的几何中心位于一条直线上。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述利用所述N组反射光线,确定相应台阶结构对应的光阻材料薄膜的刻蚀尺寸,包括:
利用所述N组反射光线的强度,确定相应台阶结构对应的光阻材料薄膜的厚度;
根据所述相应台阶结构对应的光阻材料薄膜的厚度,确定相应台阶结构对应的光阻材料薄膜的刻蚀尺寸。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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