[发明专利]一种存储器件及其制造方法

说明书

本申请提供一种转换设备、存储器件及其制造方法，存储器件可以包括DDR存储层、DDR接口层、转换逻辑电路层和外围接口层，外围接口层可以包括GDDR接口层或PCIe接口层。其中，转换逻辑电路层可以将利用外围接口层获取的数据利用DDR存储逻辑进行处理，而后传输至DDR接口层，或者将利用DDR接口层获取的数据利用GDDR存储逻辑进行处理，而后传输至外围接口层，DDR存储层和DDR接口层可以连接，这样，转换逻辑电路层可以对数据进行DDR和GDDR存储逻辑的转换，DDR存储层的数据可以经过转换逻辑电路层从外围接口层输出，从外围接口层输入的数据可以经过转换逻辑电路层存储至DDR存储层，使存储器件在成本较低的DDR的基础上实现GDDR的功能，降低了存储器件的成本。

技术领域

本申请涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种存储器件及其制造方法。

背景技术

目前，图形用双倍数据传输率(Graphics Double Data Rate，GDDR)动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，是一种特殊的双倍数据传输率DRAM存储器，能够适应于图形系统的高带宽需求，其从第一版(GDDR1)至第六版(GDDR6)逐渐升级，具有比同代的双倍数据传输率(Double Data Rate，DDR)动态存取存储器(Dynamic RandomAccess Memory，DRAM)更高的带宽，但是，GDDR设计复杂度高，成本也高。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种存储器件及其制造方法，降低了存储器件的成本，提高了存储器件的性能。

为实现上述目的，本申请有如下技术方案：

本申请实施例提供了一种转换设备，包括：DDR接口层、转换逻辑电路层和外围接口层，所述外围接口层包括图形用双倍数据传输率GDDR接口层或外围组件互连标准PCIe接口层；

所述转换逻辑电路层用于：将利用所述外围接口层获取的数据利用DDR存储逻辑进行处理后传输至所述DDR接口层；和/或，将利用所述DDR接口层获取的数据利用GDDR存储逻辑进行处理后传输至所述外围接口层。

可选的，所述转换设备还包括：临时存储器；

所述临时存储器与所述DDR接口层、转换逻辑电路层和外围接口层连接；用于缓冲从所述外围接口层获取的数据，和/或，缓冲从所述DDR接口层获取的数据。

本申请实施例提供了一种存储器件，其特征在于，包括双倍数据传输率DDR存储层和以上提供的转换设备；所述DDR存储层和所述DDR接口层连接。

可选的，所述外围接口层包括多个通道，与所述通道连接的DDR存储层的容量根据所述通道的宽度确定；所述DDR接口层的通道数量根据所述外围接口层的通道数量和/或所述DDR接口层的容量确定。

可选的，所述DDR存储层利用硅通孔TSV技术集成。

可选的，所述DDR存储层和所述转换设备利用多芯片封装MCP工艺封装，或利用高带宽存储器HBM工艺封装。

本申请实施例提供了一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供DDR存储层；

将所述DDR存储层和转换设备连接；所述DDR存储层和所述转换设备中的DDR接口层连接；

其中，所述转换设备包括：所述DDR接口层、转换逻辑电路层和外围接口层，所述外围接口包括GDDR接口层或PCIe接口层；所述转换逻辑电路层用于：将利用所述外围接口层获取的数据利用DDR存储逻辑进行处理后传输至所述DDR接口层；和/或，将利用所述DDR接口层获取的数据利用GDDR存储逻辑进行处理后传输至所述外围接口层。