[发明专利]基板侧面部配线形成方法在审
申请号: | 202010255524.0 | 申请日: | 2020-04-02 |
公开(公告)号: | CN112017969A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 宋根浩 | 申请(专利权)人: | 股份有限会社太特思 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 韩国忠清道牙*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侧面 线形 成方 | ||
本发明涉及基板配线形成方法,尤其,涉及如下的基板侧面部配线形成方法,即,通过光刻工序在基板侧面部形成基板侧面部配线,由此,可以轻松且精密地形成使上部电路图案与下部电路图案电连接的侧面部电路图案,因此,可提供电特性得到提高的基板。
技术领域
本发明涉及基板配线形成方法,尤其,涉及如下的基板侧面部配线形成方法,即,通过光刻工序在基板侧面部形成基板侧面部配线,由此,可以轻松且精密地形成使上部电路图案与下部电路图案电连接的侧面部电路图案。
背景技术
最近,为了体现面积大且鲜明的显示器,逐渐倾向于形成没有外框的基板的技术。为了提供上述没有外框的基板,需要在基板侧面形成配线的技术。
但是,以往,仅揭示了简单向基板侧面形成配线来减少外框的宽度的显示板,而尚未提出在基板的侧面形成配线的具体方法。并且,上述现有技术文献尚未提出在基板侧面部形成精巧且电特性优秀的配线的具体方法。
发明内容
本发明为了解决如上所述的现有技术的问题而提出,本发明的目的在于,提供如下的基板侧面部配线形成方法,即,通过光刻工序在基板侧面部形成基板侧面部配线,由此,可以轻松且精密地形成使上部电路图案与下部电路图案电连接的侧面部电路图案,因此,可提供电特性得到提高的基板。
为了解决如上所述的问题而提出的本发明的基板侧面部配线形成方法的特征在于,包括:在基板侧面部蒸镀形成侧面部配线用金属层的步骤;在上述侧面部配线用金属层上形成光致抗蚀剂层的步骤;在上述光致抗蚀剂层上整列配置掩膜之后,使上述光致抗蚀剂层的一部分曝光的步骤;对上述光致抗蚀剂层进行显影来形成使上述侧面部配线用金属层的一部分露出的光致抗蚀剂图案的步骤;以及在对所露出的上述侧面部配线用金属层的一部分进行蚀刻处理来去除之后,剥离所残存的侧面部配线用金属层上的光致抗蚀剂图案来形成侧面部电路图案的步骤。
并且,本发明的特征在于,上述光致抗蚀剂层由负性光致抗蚀剂形成,在上述掩膜中,在与上述侧面部电路图案对应的部分形成开口部。
并且,本发明的特征在于,上述光致抗蚀剂层由正性光致抗蚀剂形成,在上述掩膜中,在除与上述侧面部电路图案对应的部分之外的剩余部分形成开口部。
根据具有上述问题及解决方案的本发明的基板侧面部配线形成方法,本发明具有如下的效果,即,通过光刻工序在基板侧面部形成基板侧面部配线,由此,可以轻松且精密地形成使上部电路图案与下部电路图案电连接的侧面部电路图案,因此,可提供电特性得到提高的基板。
附图说明
图1为本发明实施例的基板侧面部配线形成方法的流程图。
图2及图3为本发明实施例的基板侧面部配线形成方法的第一工序流程图。
图4及图5为本发明实施例的基板侧面部配线形成方法的第二工序流程图。
图6示出用于适用本发明实施例的基板侧面部配线形成方法的例示性基板的剖面。
图7示出适用本发明实施例的基板侧面部配线形成方法来在基板侧面部形成配线的状态的基板的剖面。
具体实施方式
图1为本发明实施例的基板侧面部配线形成方法的流程图(flowchart)。图2及图3为本发明实施例的基板侧面部配线形成方法的第一工序流程图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造