[发明专利]一种高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法在审
| 申请号： | 202010256261.5 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111410560A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 薛喜利;汪洋;沈丁;董伟;薛明虎 | 申请（专利权）人： | 江苏嘉明碳素新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 连云港慧源知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32363 | 代理人： | 朱小燕 |
| 地址： | 222000 江苏省连云*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 致密 sic 涂层 化石 制备 方法 | ||
1.一种高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下：在真空度为1-10-3Pa的高温炉内，将石墨基体置于熔融硅液中进行硅化处理，硅化处理在恒温状态下进行，硅化温度为1500-1800℃，硅化时间为1-5h，随后用机械手将处理后的石墨基体取出，继续升温至1800-2000℃排出石墨基体中残余的硅液，然后降温至沉积温度800～1200℃后，随即向炉内通入反应气体，采用化学气相沉积工艺在处理后的石墨基体表面沉积致密SiC涂层，最后降温至室温取出即可制得。
2.根据权利要求1所述的高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法，其特征在于：所述高温炉的真空度为5-3Pa。
3.根据权利要求1所述的高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法，其特征在于：所述硅化温度为1600℃，硅化时间为3h。
4.根据权利要求1所述的高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法，其特征在于：所述继续升温至1900℃排出石墨基体中残余的硅液。
5.根据权利要求1所述的高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法，其特征在于：所述沉积温度为1000℃。
6.根据权利要求1所述的高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法，其特征在于：所述化学气相沉积工艺条件为，三氯甲基硅烷为前驱体，氩气为稀释气，氢气为载气，沉积时间为5～20h。
7.根据权利要求6所述的高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法，其特征在于：所述沉积时间为12h。
8.根据权利要求1所述的高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法，其特征在于：所述硅液纯度为99.99%，且石墨基体与硅液的重量比为1:5-20。
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