[发明专利]一种多通道采集终端

权利要求书

1.一种多通道采集终端，其特征在于：包括电源、RAM主控芯片、A/D转换电路、继电器驱动电路、通道选择电路、以及至少两路继电接入电路；

其中，各路继电接入电路分别均包括接插件和继电器，各路继电接入电路中接插件的输入端分别用于外接各指定类型传感检测仪器，接插件的输出端对接对应继电器的输入端；

RAM主控芯片经继电器驱动电路对接各路继电接入电路中的继电器，用于实现对各继电器的驱动控制；

各路继电接入电路中继电器的输出端分别对接通道选择电路的输入端，通道选择电路的输出端经A/D转换电路对接RAM主控芯片，通道选择电路用于针对各路继电接入电路分别所接指定类型传感检测仪器的检测结果，实现切换接入至RAM主控芯片；

电源对接RAM主控芯片，并经RAM主控芯片分别为各电路进行供电。

2.根据权利要求1所述一种多通道采集终端，其特征在于：所述电源提供12V供电电压和3.3V供电电压。

3.根据权利要求2所述一种多通道采集终端，其特征在于：还包括稳压电路，所述电源经稳压电路对接RAM主控芯片；

稳压电路中，VRA1212YMD-6WR3芯片UP1的+Vo端对接电感L102的其中一端，电感L102的另一端对接电源的A+12V供电电压；VRA1212YMD-6WR3芯片UP1的0V端对接电感L101的其中一端，电感L101的另一端接地；VRA1212YMD-6WR3芯片UP1的-Vo端对接电感L100的其中一端，电感L100的另一端对接电源的A-12V供电电压；VRA1212YMD-6WR3芯片UP1的+Vo端与0V端之间并联电解电容C408、电容C411、电解电容器C413，VRA1212YMD-6WR3芯片UP1的-Vo端与0V端之间并联电解电容C409、电容C410、电解电容器C412；VRA1212YMD-6WR3芯片UP1的Vin端与GND端之间并联电容C407、电解电容C406；

AD8397ARZ芯片TL2的+V端分别对接电源的A+12V供电电压、电容C403的其中一端、电容C404的其中一端、电容C405的其中一端，电容C403的另一端、电容C404的另一端、电容C405的另一端相连并接地；AD8397ARZ芯片TL2的OUTB端分别对接电容C53的其中一端、电阻R421的其中一端，电容C53的另一端与电阻R421的另一端相连、对接于AQW212EH芯片RL_81的6号端；AD8397ARZ芯片TL2的-INB端串联电阻R406对接于AD8397ARZ芯片TL2的OUTA端，同时AD8397ARZ芯片TL2的OUTA端分别对接电容C51的其中一端、电阻R420的其中一端，电容C51的另一端与电阻R420的另一端相连、对接于AQW212EH芯片RL_81的8号端；AD8397ARZ芯片TL2的+INB端串联电阻R407后接地；AD8397ARZ芯片TL2的-INA端分别对接电阻R401的其中一端、电阻R402的其中一端，电阻R401的另一端对接电源的A+12V供电电压，电阻R402的另一端接地；AD8397ARZ芯片TL2的+INA端串联电阻R195后分别对接电阻R403的其中一端、NPN型三极管Q50的集电极，电阻R403的另一端对接电源的A+12V供电电压，NPN型三极管Q50的基极分别对接电阻R404其中一端、电阻R405其中一端，电阻R404另一端对接所述RAM主控芯片，NPN型三极管Q50的发射极与电阻R405另一端相连，并接地；

AQW212EH芯片RL_81的1号端依次串联电阻R413、电阻R412后对接NPN型三极管Q61的集电极，NPN型三极管Q61的基极分别对接电阻R409其中一端、电阻R410其中一端，电阻R409另一端对接所述RAM主控芯片，NPN型三极管Q61的发射极与电阻R410另一端相连，并接地；

AQW212EH芯片RL_81的7号端分别对接二极管D120的负极端、二极管D121的正极端、电容C56的其中一端、电阻R205的其中一端、电阻R400的其中一端，二极管D120的正极端对接电源的A-12V供电电压，二极管D121的负极端对接电源的A+12V供电电压，电容C56的另一端与电阻R205的另一端相连、并接地，电阻R400的另一端对接TL082芯片TL1的+INA端；AQW212EH芯片RL_81的5号端分别对接二极管D105的负极端、二极管D104的正极端、电容C54的其中一端、电阻R215的其中一端、电阻R216的其中一端，二极管D105的正极端对接电源的A-12V供电电压，二极管D104的负极端对接电源的A+12V供电电压，电容C54的另一端与电阻R215的另一端相连、并接地，电阻R216的另一端分别对接电阻R196其中一端、电容C79其中一端、TL082芯片TL1的-INA端；电阻R196另一端与电容C79另一端相连后，该连接点分别对接电容C71其中一端、TL082芯片TL1的OUTA端；电容C71另一端串联电阻R190后，分别对接电阻R197其中一端、电容C80其中一端、TL082芯片TL1的-INB端，电阻R197另一端与电容C80另一端相连后，该连接点分别对接TL082芯片TL1的OUTB端、电容C72的其中一端；TL082芯片TL1的-V端分别对接电容C81其中一端、电容C92其中一端、电容C96其中一端，电容C81另一端、电容C92另一端、电容C96另一端三者相连、并接地；TL082芯片TL1的+INB端串联电阻R208后接地；TL082芯片TL1的+V端分别对接电容C83其中一端、电容C94其中一端、电容C97其中一端、电源的A+12V供电电压，电容C83另一端、电容C94另一端、电容C97另一端三者相连并接地；电容C72的另一端分别对接电阻R191其中一端、电阻R207其中一端，电阻R191另一端接地，电阻R207另一端分别对接电阻R206其中一端、LM393芯片LM1的+INA端，电阻R206的另一端串联电阻R204后，分别对接电阻R198其中第一端、电阻R200其中一端、LM393芯片LM1的OUTA端，电阻R198另一端对接电源的A+12V供电电压，电阻R200另一端对接NPN型三极管Q36的基极，NPN型三极管Q36的集电极分别对接RAM主控芯片、电阻R194其中一端，电阻R194另一端外接电源的+3.3V供电电压；NPN型三极管Q36的发射极接地；LM393芯片LM1的-INA端串联电阻R210后接地；LM393芯片LM1的-V端分别对接电容C104其中一端、电容C105其中一端、电容C106其中一端、电源的A-12V供电电压，电容C104另一端、电容C105另一端、电容C106另一端三者相连并接地；LM393芯片LM1的+V端分别对接电容C84其中一端、电容C93其中一端、电容C95其中一端、电源的A+12V供电电压，电容C84另一端、电容C93另一端、电容C95另一端三者相连、并接地。