[发明专利]一种过零检测电路

权利要求书

1.一种过零检测电路，其特征在于，包括偏置级、自偏置模块和比较模块，所述偏置级用于根据偏置电流产生偏置电压并将偏置电流镜像到所述自偏置模块和比较模块；

所述自偏置模块包括第四NMOS管、第五NMOS管和第一电阻，

第一电阻的一端连接第五NMOS管的栅极和所述偏置级镜像的第一路偏置电流，其另一端连接第四NMOS管的漏极；

第四NMOS管的栅极连接所述偏置电压，其源极连接第五NMOS管的漏极；

第五NMOS管的源极连接电源地；

所述比较模块包括第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管，其中第九NMOS管为高压开关管；

第六NMOS管的栅极连接所述偏置电压，其漏极连接第八NMOS管的栅极和所述偏置级镜像的第二路偏置电流，其源极连接第七NMOS管的漏极；

第七NMOS管的栅极连接第四NMOS管的漏极，其源极连接第九NMOS管的漏极；

第九NMOS管的栅极连接使能信号，其源极作为所述过零检测电路的输入端；

第八NMOS管的漏极连接所述偏置级镜像的第三路偏置电流并作为所述过零检测电路的输出端，其源极连接电源地；

第一电阻的阻值R₁满足：其中I1为所述偏置级镜像的第二路偏置电流的电流值，I2为流经第七NMOS管的电流值，μ_n为电子迁移率，C_OX为栅氧化层电容。

2.根据权利要求1所述的过零检测电路，其特征在于，所述偏置级包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管和第十PMOS管，

第一NMOS管的栅漏短接并连接第二NMOS管的栅极和所述偏置电流，其源极连接第二NMOS管和第三NMOS管的源极并连接电源地；

第二PMOS管的栅漏短接并连接第四PMOS管、第六PMOS管、第八PMOS管和第十PMOS管的栅极以及第二NMOS管的漏极，其源极连接第三PMOS管、第五PMOS管、第七PMOS管和第九PMOS管的栅极以及第一PMOS管的栅极和漏极；

第四PMOS管的源极连接第三PMOS管的漏极，其漏极连接第三NMOS管的栅极和漏极并输出所述偏置电压；

第六PMOS管的源极连接第五PMOS管的漏极，其漏极产生所述偏置级镜像的第一路偏置电流；

第八PMOS管的源极连接第七PMOS管的漏极，其漏极产生所述偏置级镜像的第二路偏置电流；

第十PMOS管的源极连接第九PMOS管的漏极，其漏极产生所述偏置级镜像的第三路偏置电流；

第一PMOS管、第三PMOS管、第五PMOS管、第七PMOS管和第九PMOS管的源极连接电源电压。

3.根据权利要求1或2所述的过零检测电路，其特征在于，所述过零检测电路的输入端连接负压Buck-Boost电路的开关节点，所述电源地为所述负压Buck-Boost电路的输出电压。

4.根据权利要求1或2所述的过零检测电路，其特征在于，所述偏置电流为外部基准电路产生的正温度系数电流。