[发明专利]集成芯片结构及电源模块

权利要求书

1.一种集成芯片结构,包括塑封体，所述塑封体内设置有至少具有四个基导和多个引脚的引线框架、多条金属引线，以及设置于所述引线框架的基导上的第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、续流二极管芯片、控制芯片、功率芯片；

所述第一整流二极管芯片和所述第四整流二极管的阴极分别连接所述集成芯片结构的第一交流输入引脚和第二交流输入引脚；所述第二整流二极管芯片和所述第三整流二极管芯片的阳极分别通过金属引线与所述第一整流二极管芯片的阴极和所述第四整流二极管的阴极连接，所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述续流二极管芯片的阴极、所述控制芯片的高压端均连接所述集成芯片结构的高压供电引脚；

所述续流二极管芯片的阳极通过金属引线连接所述功率芯片的输入端，所述功率芯片的输入端连接所述集成芯片结构的漏极引脚；

所述功率芯片的控制端连接所述控制芯片的栅极端，所述功率芯片的输出端分别连接所述控制芯片的片选端和所述集成芯片结构的片选信号引脚；

所述控制芯片的接地端、所述第一整流二极管芯片和所述第四整流二极管的阳极均连接所述集成芯片结构的接地引脚；

其中，所述第一整流二极管芯片、所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述第四整流二极管芯片、所述续流二极管芯片的正向压降和反向电压均相同，且所述反向电压与所述控制芯片的自供电高压电压相同；所述第二整流二极管芯片和所述第三整流二极管芯片为共阴极的双胞胎二极管芯片。

2.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其特征在于，所述第一整流二极管芯片设置于所述引线框架的第一基导上，所述第四整流二极管芯片设置于所述引线框架的第二基导上，所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述续流二极管芯片设置于所述引线框架的第三基导上，所述控制芯片和所述功率芯片设置于所述引线框架的第四基导上。

3.根据权利要求2所述的集成芯片结构，其特征在于，所述第三基导包括设置有所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片的第三基导A和设置有所述续流二极管芯片第三基导B。

4.根据权利要求2所述的集成芯片结构，其特征在于，所述第四基导包括设置有所述控制芯片的第四基导A和设置有所述功率芯片第四基导B。

5.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其特征在于，所述第一整流二极管芯片、所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述第四整流二极管芯片、所述续流二极管芯片、所述功率芯片均通过导电胶或锡膏设置于所述引线框架的基导上，所述控制芯片通过绝缘胶设置于所述引线框架的基导上。

6.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其特征在于，所述功率芯片为功率MOS芯片。

7.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其特征在于，所述第一整流二极管芯片、所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述第四整流二极管芯片、所述续流二极管芯片均为N型衬底的芯片，所述金属引线为铜线。

8.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其特征在于，所述集成芯片结构的第一交流输入引脚、第二交流输入引脚、高压供电引脚、漏极引脚均与引脚所在的基导导通，所述集成芯片结构的片选信号引脚和接地引脚与引脚所在的基导绝缘。

9.一种电源模块，包括第一滤波电容、储能电感、第二滤波电容、负载，其特征在于，所述电源模块还包括权利要求1-8任一项所述的集成芯片结构；所述集成芯片结构的第一交流输入引脚、第二交流输入引脚分别与交流电源的火线端和零线端电连接；所述集成芯片结构的高压供电引脚与所述第一滤波电容、第二滤波电容、负载的一端连接；所述集成芯片结构的漏极引脚与所述储能电感的一端连接，所述储能电感的另一端与所述第二滤波电容及负载的另一端连接；所述集成芯片结构的片选信号引脚、所述第一滤波电容的另一端接地。