[发明专利]一种CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料及其制备与应用在审
| 申请号： | 202010257931.5 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111545220A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 孙彦刚;吴冲冲;王金果;崔哲;宋凤革;饶品华 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | B01J27/04 | 分类号： | B01J27/04;B01J37/20;B01J37/08;A62D3/17;A62D101/28;A62D101/26;A62D101/22 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 吴文滨 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cus cuo cu 纳米 线异质结 阵列 材料 及其 制备 应用 | ||
1.一种CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括以下步骤：
(a)将预处理过的铜材浸泡在NaOH和(NH4)2S2O8的混合液中，在铜材上生长Cu(OH)2纳米线阵列；
(b)将步骤(a)得到的生长有Cu(OH)2纳米线阵列的铜材浸入Na2S溶液中进行硫化，后取出洗涤干燥，再进行热处理，得到CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料。
2.根据权利要求1所述的一种CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤(a)中，混合液中，NaOH和(NH4)2S2O8的摩尔添加比为(20～50):(1～5)。
3.根据权利要求1所述的一种CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料的制备方法，步骤(a)中，铜材采用稀盐酸、去离子水和乙醇分别进行清洗预处理。
4.根据权利要求1所述的一种CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤(a)中，浸泡的温度为10～30℃，浸泡的时间为5～30min。
5.根据权利要求1所述的一种CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤(b)中，硫化的温度为20～50℃，硫化的时间为1～240min。
6.根据权利要求1所述的一种CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤(b)中，采用去离子水和无水乙醇分别进行多次洗涤。
7.根据权利要求1所述的一种CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤(b)中，干燥的温度为90～150℃，干燥的时间为0.5～1.5h，在氮气气氛保护下进行。
8.根据权利要求1所述的一种CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤(b)中，热处理的温度为160～220℃，热处理的时间为1～3h。
9.一种采用如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备得到的CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料，其特征在于，所述纳米线异质结阵列材料以铜材为基底材料，在铜材上自下而上依次生长有CuO和CuS，所述CuS的厚度为5～50nm，长度为1～10μm，所述CuO的厚度为5～50nm，长度为1～10μm。
10.一种如权利要求9所述的一种CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料在光催化领域的应用。
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