[发明专利]一种低压差线性稳压电路的线损补偿电路及控制方法

权利要求书

1.一种低压差线性稳压电路的线损补偿电路，所述低压差线性稳压电路包括误差放大器、功率PMOS管、第一分压电阻和第二分压电阻；定义VIN、VOUT和GND分别为低压差线性稳压电路封装的输入、输出和接地引脚，定义VINpad、VOUTpad和GNDpad为低压差线性稳压电路内部分别与VIN、VOUT和GND对应键合的PAD；误差放大器的反相输入端连接基准电压源，第二分压电阻的第一端连接第一分压电阻的第一端，第二分压电阻的第二端连接GNDpad，第一分压电阻与第二分压电阻的公共端连接误差放大器的同相输入端，功率PMOS管的栅极连接误差放大器的输出端，功率PMOS管的源极连接VINpad，功率PMOS管的漏极连接VOUTpad；

其特征在于：所述线损补偿电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、线损补偿电阻、第一NMOS管和第二NMOS管；将第一PMOS管作为负载电流采样管，通过第二PMOS管和第三PMOS管维持第一PMOS管与功率PMOS管的源漏压差相同，第一NMOS管与第二NMOS管构成电流镜；第一PMOS管的栅极连接功率PMOS管的栅极，第一PMOS管的源极连接功率PMOS管的源极，第二PMOS管的源极分别连接第一分压电阻的第二端和线损补偿电阻的第一端并将该连接点作为低压差线性稳压电路输出电压的采样节点VOUTS，线损补偿电阻的第二端连接VOUTpad，第二PMOS管的栅极分别连接第二PMOS管的漏极和第三PMOS管的栅极，第三PMOS管的源极连接第一PMOS管的漏极，第一NMOS管的漏极分别连接第三PMOS管的漏极和第一NMOS管的栅极，第一NMOS管的源极连接GNDpad，第二NMOS管的漏极连接第二PMOS管的漏极，第二NMOS管的栅极连接第一NMOS的栅极，第二NMOS的源极连接GNDpad。

2.根据权利要求1所述低压差线性稳压电路的线损补偿电路，其特征在于：设第二PMOS管与第三PMOS管的沟道宽长比的比值为a，第二NMOS管与第一NMOS管的沟道宽长比的比值为b，则a＝b。

3.根据权利要求1所述低压差线性稳压电路的线损补偿电路，其特征在于：第一PMOS管与功率PMOS管的源漏压差相同。

4.基于权利要求1所述线损补偿电路的控制方法，其特征在于：通过线损补偿电路将第一PMOS管采样的负载电流叠加到线损补偿电阻上，使采样电流在线损补偿电阻上产生的压降与低压差线性稳压电路的输出电流在VOUTpad与VOUT之间的键合线阻抗上差生的压降相等，从而使采样节点VOUTS的电压等于VOUT的电压，使得低压差线性稳压电路的输出电压在全负载范围内不随负载电流变化。