[发明专利]一种硅片的抛光后清洗方法

说明书

采用一种混合清洗剂，混合清洗剂由隔离保湿剂、PH调节剂、缓释剂、溶液C组成，混合清洗剂成分的配比范围为：隔离保湿剂5～10wt%、PH调节剂0.5～1.5wt%、溶液94.5～88.5wt%；将上述成分按照其配比范围配置均匀、稳定的混合清洗剂，对抛光后的硅片进行浸没式清洗。混合清洗剂在硅片表面形成一层保护层，防止抛光液残留的斑点发生和不纯物的干燥固着，抑制硅片表面氧化膜的形成，同时捕捉抛光过程中产生的金属离子、防止硅片受到金属污染，硅片与抛光液残留物、金属离子等所有污染颗粒都被混合清洗剂有效包裹起来，防止硅片表面污染，极大地提升抛光与清洗工序的效率、提高产品合格率。

技术领域

本发明属于集成电路级硅片加工制造领域，涉及抛光工艺技术，具体为一种集成电路级硅片的清洗方法。

背景技术

在集成电路级硅片的制造过程中，硅片都将进行表面抛光，其主要目的是去除硅片表面由前工序残留的微缺陷及表面的应力损伤层，同时去除表面的各种金属离子等杂质污染，获得表面局部平整、表面粗糙度极低的洁净、光亮“镜面”，满足制备各种微电子器件对硅片的技术要求。硅片的表面抛光技术是硅片加工中的关键工序，其加工精度直接影响IC芯片的性能、合格率等技术指标。

目前，硅片表面抛光采用的最为普遍的技术是化学机械抛光工艺，即通常所说的CMP技术。抛光时，硅片表面与碱性抛光液的化学腐蚀反应生成可溶性的硅酸盐，抛光液中二氧化硅胶体与快速转动的软性抛光布间的机械摩擦作用，将硅片表面已形成的可溶性硅酸盐层擦去，从而硅片露出新的表面层。在抛光过程中，化学腐蚀和机械摩擦两种作用交替、循坏进行，当两种作用趋于动态平衡时，达到去除残余应力损伤的目的，形成无损伤、几何尺寸精度高的镜面。

但随着抛光的进行，硅片新的表面层不断与环境中的氧气接触，在硅片表面极易形成自然氧化膜层；而抛光结束后，抛光液易残留在硅片表面，并在硅片表面干燥后产生斑点；同时，抛光过程中除去的金属离子也易在硅片干燥后附着在硅片表面。通常硅片抛光结束后进行下一工序即清洗，以去除硅片表面沾污。但上述硅片表面上氧化膜的形成、抛光液的附着及斑点等为硅片的清洗带来极大的难度，尤其是抛光结束后不能立即进行清洗的状况下，甚至会导致硅片表面沾污与氧化膜无法去除，极大地影响硅片性能与合格率。

针对上述问题，本发明提供了一种硅片的抛光后清洗方法，在硅片完成最后一步抛光后将硅片放置到装有混合清洗剂的容器中，并将硅片完全浸没入混合清洗剂中，直到硅片进入下一步清洗工艺。所述混合清洗剂具有疏水性和亲水性两极，在硅片表面形成一层保护层，防止抛光液残留的斑点发生和不纯物的干燥固着，抑制硅片表面氧化膜的形成，同时捕捉抛光过程中产生的金属离子、防止硅片受到金属污染，隔离硅片表面与所有的污染离子，如图例1所示，硅片(1)与抛光液的残留物和金属离子等所有污染颗粒(2)都被混合清洗剂(3)包裹起来，使污染颗粒(2)与硅片(1)有效隔离。同时，硅片在进入下一工序前，使用超纯水清洗即可除去混合清洗剂且在硅片表面无沾污残留，极大地提升了抛光与清洗工序的效率、提高了产品合格率。

发明内容

为实现上述目的，本发明提供一种集成电路硅片的抛光后清洗方法，通过以下技术方案实现：

采用一种混合清洗剂，混合清洗剂由隔离保湿剂、pH调节剂、溶液组成，混合清洗剂成分的配比范围为：隔离保湿剂5～10wt%、pH调节剂0.5～1.5wt%、溶液C 94.5～88.5wt%；将上述成分按照其配比范围配置均匀、稳定的混合清洗剂，对抛光后的硅片进行浸没式清洗。