[发明专利]III族氮化物基晶体管器件及制造用于其的栅极结构的方法在审

专利信息
申请号: 202010258725.6 申请日: 2020-04-03
公开(公告)号: CN111799162A 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: C.奥斯特迈尔;O.赫贝尔伦;G.普雷希特尔;M.施塔本泰纳 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/335;H01L29/423;H01L29/778
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张凌苗;申屠伟进
地址: 奥地利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: iii 氮化物 晶体管 器件 制造 用于 栅极 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种制造III族氮化物基晶体管器件的栅极结构的方法,所述方法包括:

在布置在III族氮化物沟道层上的第一III族氮化物阻挡层的上表面上形成硬掩模,第一III族氮化物阻挡层和III族氮化物沟道层具有不同的带隙并且形成能够支持二维电荷气的异质结,硬掩模具有开口;

去除在硬掩模的开口中暴露的第一III族氮化物阻挡层的至少一部分,以形成具有基部和侧壁的凹部,凹部从第一III族氮化物阻挡层的上表面延伸到第一III族氮化物阻挡层中;

在凹部中形成p掺杂的III族氮化物材料,开口限定栅极结构的p掺杂的III族氮化物材料的横向范围。

2. 根据权利要求1所述的方法,还包括:

在凹部的基部和侧壁上形成第二III族氮化物阻挡层,以及

在第二III族氮化物阻挡层上形成p掺杂的III族氮化物材料,其中开口限定第二III族氮化物阻挡层的横向范围和栅极结构的p掺杂的III族氮化物材料的横向范围。

3.根据权利要求1所述的方法,还包括在形成凹部之后,增加硬掩模中的开口的宽度并且暴露与凹部的至少一个侧壁相邻的第一III族氮化物阻挡层的一部分,并且之后在凹部中和在第一III族氮化物阻挡层的暴露部分上形成p掺杂的III族氮化物材料,其中开口限定栅极结构的p掺杂的III族氮化物材料的横向范围。

4. 根据权利要求3所述的方法,其中开口的宽度与凹部的一侧相邻地增加长度l,并且0 nm l ≤ 200 nm,优选地10 nm ≤ l ≤ 100 nm。

5. 根据权利要求3或权利要求4所述的方法,其中开口的宽度在凹部的第一侧上增加长度ls,并且在凹部的第二侧上增加长度ld,第二侧与第一侧相对,其中ls ld

6. 根据权利要求3至5中的一项所述的方法,还包括:

在凹部的基部和侧壁上以及在第一III族氮化物阻挡层的暴露部分上形成第二III族氮化物阻挡层,以及

在第二III族氮化物阻挡层上形成p掺杂的III族氮化物材料,其中开口限定第二III族氮化物阻挡层的横向范围和栅极结构的p掺杂的III族氮化物材料的横向范围。

7.根据权利要求1至6中的一项所述的方法,还包括去除III族氮化物沟道层的一部分,使得凹部从第一III族氮化物阻挡层的上表面延伸到III族氮化物沟道层中,使得凹部具有位于III族氮化物沟道层中的基部。

8.根据权利要求1至7中的一项所述的方法,还包括在p掺杂的III族氮化物上沉积栅极金属。

9. 一种制造晶体管器件的方法,包括:

根据权利要求1至8中的一项的方法,以及

在凹部的相对侧上在第一III族氮化物阻挡层上形成源极接触和漏极接触。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司,未经英飞凌科技奥地利有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010258725.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top