[发明专利]一种坡面裸露砒砂岩区土壤改良植草的装置及方法

权利要求书

1.一种坡面裸露砒砂岩区土壤改良植草的装置，其特征在于：包括装置本体(1)，所述装置本体内部从下到上依次设有第一孔(2)和第二孔(3)，所述第一孔(2)自下而上依次设有保水层(4)和种植层(5)，所述第二孔(3)内部设有防蒸发层(6)，所述防蒸发层(6)的下面为草种(7)。

2.根据权利要求1所述的根据权利要求1所述的坡面裸露砒砂岩区土壤改良植草的装置，其特征在于：所述装置本体(1)的总深度为25cm。

3.根据权利要求1所述的根据权利要求1所述的坡面裸露砒砂岩区土壤改良植草的装置，其特征在于：所述第一孔(2)的孔径为7cm，深度为20cm，所述保水层(4)的厚度为5cm，种植层(5)的厚度为15cm。

4.根据权利要求1所述的根据权利要求1所述的坡面裸露砒砂岩区土壤改良植草的装置，其特征在于：所述第二孔(3)的孔径为15cm，深度为5cm，所述防蒸发层(6)的厚度为2cm，所述防蒸发层(6)的上方为深度为3cm的集雨坑，所述防蒸发层(6)中沙土平均粒径大于0.5mm。

5.根据权利要求1所述的根据权利要求1所述的坡面裸露砒砂岩区土壤改良植草的装置，其特征在于：所述草种(7)为内蒙白羊草和紫花苜蓿。

6.一种权利要求1所述坡面裸露砒砂岩区土壤改良植草的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1、打孔：孔径要求，表层0-5cm，距离坡下边沿5cm深，利用直径15cm的土钻进行打孔，在本孔径下，收集的雨水足够种植层和保水层储存，利用直径7cm的土钻进行打孔；

步骤2、孔内土壤改良：利用现有砒砂岩和风沙土，添加有机肥，有机肥要求烘干后有机质含量≥45％，总养分质量分数N+P₂O₅+K₂O≥5％，配置比例为砒砂岩：风沙土：有机肥＝1:1:1；

步骤3、改良土壤的分层填装：在直径7cm孔底层先铺设5cm水分处于饱和状态的PAMN保水剂，保水剂上面填充改良土壤15cm，最上端与孔径7cm的孔洞上端齐平，填装分三层填装，每5cm用木棒捣实，表面刮毛后铺设下一层；

步骤4、草种种植处理：购买的草种首先在种植前夜，将种子与溶液浓度10％的PAMN溶液充分混匀，然后瘫在塑料布上晾干，使种子表面形成一层保水剂薄膜，然后进行播种，播种前统一浇水，使土壤水分达到饱和，然后种子均匀撒在表面，上面覆盖防蒸发层，出苗期间，不再进行水分管理；

步骤5、防蒸发层的铺设：将粗砂均匀地铺设在孔径为15cm的孔洞内，防蒸发层粗砂铺设厚度为2cm。

7.根据权利要求6所述坡面裸露砒砂岩区土壤改良植草的方法，其特征在于：步骤4中，所述草种为内蒙白羊草和紫花苜蓿。

8.根据权利要求6所述坡面裸露砒砂岩区土壤改良植草的方法，其特征在于：步骤4中，播种种植的行距(8)为30cm，株距(9)为20cm。