[发明专利]具有可控谐振频率的射频开关

权利要求书

1.一种具有可调谐振频率的射频开关，该RF开关包括：

多个端子，包括第一端子和第二端子；

电感器，电连接在所述第一端子和所述第二端子之间；和

多个场效应晶体管(FET)，串联电连接在所述第一端子和所述第二端子之间并且与所述电感器并联电连接，其中所述多个FET的第一部分由控制信号控制以将所述RF开关设置为导通状态或截止状态，并且其中所述多个FET的第二部分与所述控制信号独立地控制以调节处于截止状态的RF开关的谐振频率。

2.权利要求1所述的RF开关，其中所述第二部分中的至少一个FET具有与所述第一部分中的至少一个FET不同的尺寸。

3.权利要求1所述的RF开关，其中所述第一部分包括至少两个FET。

4.权利要求1所述的RF开关，其中所述第二部分包括至少两个不同尺寸的FET。

5.权利要求1所述的RF开关，其中所述FET的所述第二部分能够由多个数字位控制。

6.权利要求5所述的RF开关，其中所述多个数字位基于通过总线接收的数据来产生。

7.权利要求5所述的RF开关，其中所述多个数字位的值控制操作频带。

8.权利要求5所述的RF开关，其中所述多个数字位的值补偿工艺过程变化。

9.权利要求1所述的RF开关，还包括接收支路和发送支路，其中所述电感器和所述多个FET被包括在所述接收支路中。

10.权利要求1所述的RF开关，还包括接收支路和发送支路，其中所述电感器和所述多个FET被包括在所述发送支路中。

11.一种射频(RF)开关的方法，该方法包括：

在RF开关的导通状态下，通过所述RF开关的两个或更多个场效应晶体管(FET)传播RF信号；

使用控制所述两个或更多个FET的第一部分的控制信号将所述开关从导通状态转换到截止状态；和

使用所述两个或更多个FET的第二部分来调节处于截止状态的所述RF开关的谐振频率，所述两个或更多个FET布置成与所述RF开关的电感器并联的堆叠。

12.权利要求11所述的方法，其中所述第一部分包括至少两个FET。

13.权利要求11所述的方法，其中所述第二部分包括至少两个FET。

14.权利要求13所述的方法，还包括使用多个数字位来控制第二部分的FET。

15.权利要求14所述的方法，还包括通过总线接收数据，并基于该数据设置所述多个数字位的值。

16.权利要求14所述的方法，还包括设置所述多个数字位的值以选择操作频带。

17.权利要求14所述的方法，还包括设置所述多个数字位的值以补偿工艺过程变化。

18.前端系统，包括：

天线端子；

功率放大器；

低噪声放大器；和

发送/接收开关，包括接收支路和发送支路，所述接收支路电连接在所述低噪声放大器的输入和所述天线端子之间，以及所述发送支路电连接在所述功率放大器的输出和所述天线端子之间，其中所述接收支路包括串联布置的多个场效应晶体管(FET)和与所述多个FET并联的电感器，其中所述多个FET的第一部分由控制信号控制以启用或禁用所述接收支路，并且其中当所述接收支路被禁用时，所述多个FET的第二部分与所述控制信号独立地控制以调节所述接收支路的谐振频率。