[发明专利]LED芯片及混晶方法

权利要求书

1.一种LED芯片的混晶方法，其特征在于，包括步骤：

1)提供一混晶基板，所述混晶基板上具有规则排列的磁性单元；

2)将具有各种波长的LED芯片混合后分散于所述混晶基板，通过所述磁性单元吸附所述LED芯片的具有磁性的电极，使所述LED芯片规则排列于所述混晶基板，移除未被所述磁性单元吸附的LED芯片，其中所述LED芯片包括LED本体、以及连接于所述LED本体的第一电极及第二电极，所述第一电极与第二电极其中之一为具有磁性的电极，所述具有磁性的电极包括位于所述LED本体表面上的磁性层以及位于所述磁性层表面上的非磁性层，所述非磁性层为不可被磁性物质磁化并吸引的导电材料；

3)将所述混晶基板上的规则排列的LED芯片转移至中转基板上，所述混晶基板上的所述磁性单元包括电磁元件，以使其磁场强度自由控制，在被所述磁性单元吸附的LED芯片转移至中转基板过程中，将所述磁场强度下调至零。

2.一种LED芯片的混晶方法，其特征在于，包括步骤：

1)提供一混晶基板，所述混晶基板上具有规则排列的磁性单元；

2)将具有各种波长的LED芯片混合后分散于所述混晶基板，通过所述磁性单元吸附所述LED芯片的具有磁性的电极，使所述LED芯片规则排列于所述混晶基板，移除未被所述磁性单元吸附的LED芯片，其中，第一电极与第二电极其中之一为具有磁性的电极，所述具有磁性的电极包括位于所述LED本体表面上的第一非磁性层、位于所述第一非磁性层表面的磁性层以及位于所述磁性层表面上的第二非磁性层，所述第一非磁性层和所述第二非磁性层为不可被磁性物质磁化并吸引的导电材料；

3)将所述混晶基板上的规则排列的LED芯片转移至中转基板上，所述混晶基板上的所述磁性单元包括电磁元件，以使其磁场强度自由控制，在被所述磁性单元吸附的LED芯片转移至中转基板过程中，将所述磁场强度下调至零。

3.根据权利要求1或2所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：所述LED芯片为垂直结构，所述第一电极及第二电极分别位于所述LED芯片的第一面及第二面。

4.根据权利要求1或2所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：LED芯片为水平结构，所述第一电极及第二电极均位于所述LED芯片的第一面。

5.根据权利要求1或2所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：所述磁性层的材质包括Fe单质层、Co单质层、Ni单质层、Mn单质层、SmCo合金层及NdFeB合金层中的一种。

6.根据权利要求2所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：所述第一非磁性层与所述LED本体欧姆接触。

7.根据权利要求1或2所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：步骤2)包括：

2-1)将所述混晶基板倾斜一角度；

2-2)将具有各种发光波长的所述LED芯片撒在所述混晶基板上，未被吸附的所述LED芯片滑出所述混晶基板而被移除。

8.根据权利要求1或2所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：步骤2)包括：

2-1)将具有各种发光波长的所述LED混入溶剂中；

2-2)将混有LED芯片的溶剂从所述混晶基板的一侧流入，另一侧流出，以使所述LED芯片规则排列于所述混晶基板，同时移除未被所述磁性单元吸附的LED芯片。

9.根据权利要求8所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：所述溶剂的密度小于所述LED芯片的密度，所述溶剂包括纯净水、乙醇、丙酮及异丙醇中的一种或上述多种溶剂的混合物。

10.根据权利要求8所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：步骤2-2)中，还包括将所述混晶基板倾斜一角度。

11.根据权利要求7所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于：所述角度介于5～85°之间。