[发明专利]半导体器件及其制造方法、具有半导体器件的电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基底，具有在基底的厚度方向上相对的第一侧和第二侧；

第一组谐振器单元，设置于基底的第一侧，第一组谐振器单元包括SAW单元，SAW单元包括单晶SAW压电层；和

第二组谐振器单元，设置于基底的第二侧，第二组谐振器单元包括单晶FBAR单元，单晶FBAR单元包括单晶压电层，所述单晶压电层为单晶压电薄膜层，

其中：

所述基底包括第一基底和第二基底，所述第一基底具有所述第一侧，所述第二基底具有所述第二侧；

所述SAW单元为常规SAW单元且单晶SAW压电层为常规SAW压电层，所述常规SAW压电层同时作为所述第一基底；

所述单晶FBAR单元的基底为第二基底；

所述第一基底的一侧与所述第二基底的一侧连接，所述第一基底的另一侧构成所述第一侧且设置有SAW电学结构，所述第二基底的另一侧构成所述第二侧且设置有FBAR压电层以及FBAR电学结构；且

所述第一基底的厚度至少为所述第二基底的厚度的5倍。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第二基底的材料选自二氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅中的至少一种；

所述第一基底的材料为单晶压电材料；

所述第一基底的材料选自铌酸锂、钽酸锂、铌酸钾中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一基底的厚度至少为所述第二基底的厚度的10倍。

4.一种半导体器件，包括：

基底，具有在基底的厚度方向上相对的第一侧和第二侧；

第一组谐振器单元，设置于基底的第一侧；和

第二组谐振器单元，设置于基底的第二侧，

其中：

第一组谐振器单元包括单晶压电薄膜SAW单元，第二组谐振器单元包括多晶FBAR单元，所述压电薄膜SAW单元包括单晶压电薄膜SAW压电层；

所述基底包括由多晶FBAR单元的基底构成的第一基底以及由所述压电薄膜SAW单元的单晶压电薄膜SAW压电层构成的第二基底，第一基底的厚度至少为第二基底的厚度的5倍；

所述第二基底的一侧与所述第一基底的第一侧连接，所述第二基底的另一侧设置有SAW电学结构；

所述第一基底的第二侧设置有FBAR压电层以及FBAR电学结构。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：

第一基底的厚度至少为第二基底的厚度的10倍。

6.一种半导体器件，包括：

基底，具有在基底的厚度方向上相对的第一侧和第二侧；

第一组谐振器单元，设置于基底的第一侧；和

第二组谐振器单元，设置于基底的第二侧，

其中：

第一组谐振器单元包括单晶压电薄膜SAW单元，第二组谐振器单元包括多晶FBAR单元，所述压电薄膜SAW单元包括单晶压电薄膜SAW压电层；

所述压电薄膜SAW单元包括布拉格反射层以及所述单晶压电薄膜SAW压电层，所述基底包括由多晶FBAR单元的基底构成的第一基底以及由所述压电薄膜SAW压电层构成的第二基底，第一基底的厚度至少为第二基底的厚度的5倍；

所述布拉格反射层设置在第一基底与第二基底之间；

所述第二基底的一侧与所述布拉格反射层的第一侧连接，所述第二基底的另一侧设置有SAW电学结构；

所述布拉格反射层的第二侧与所述第一基底的第一侧连接；

所述第一基底的第二侧设置有FBAR压电层以及FBAR电学结构。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

第一基底的厚度至少为第二基底的厚度的10倍。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体器件，其中：

所述半导体器件包括滤波器、双工器、多工器中的一种。

9.一种电子设备，包括根据权利要求1-8中任一项所述的半导体器件。