[发明专利]一种液晶高分子材料、高频基板及其制备方法

权利要求书

1.一种液晶高分子材料，其特征在于：为50-70％的对羟基苯甲酸，7-12％的对苯二甲酸，7-12％的间苯二甲酸，12-23％的1,4-环己烷二甲酸，2-5％的C2-C4的二醇结构，以上的比例均为摩尔百分比聚合而成的材料。

2.一种液晶高分子材料的高频基板，其特征在于：所述的高频基板为液晶高分子材料涂覆在铜箔上得到，所述的高频基板热膨胀系数(CTE)为14到16PPM/K，所述的高频基板介电常数(Dk)为3.1(1GHz)及以下，所述的高频基板介电损耗(Df)为0.002到0.003之间。

3.一种液晶高分子材料高频基板的制备方法，其特征在于：(1)按比例将对羟基苯甲酸、间苯二甲酸、1,4-环己烷二甲酸、C2-C4的二醇结构在催化剂条件下与醋酸酐进行酰化反应；(2)将(1)中酰化后的对羟基苯甲酸、间苯二甲酸、1,4-环己烷二甲酸、C2-C4的二醇结构在催化剂条件下与对苯二甲酸进行酯交换反应，结束后冷却干燥并粉碎成粒径为0.2-0.5mm的LCP树脂颗粒；(3)液晶高分子的高频基板制备方法是将制得的LCP树脂颗粒溶解于溶剂中，涂覆与铜箔上，然后在200-280℃下进行干燥处理。

4.根据权利要求1所述的液晶高分子材料，其特征在于，所述的C2-C4的二醇结构为乙二醇、丙二醇和丁二醇的一种。

5.根据权利要求3所述的液晶高分子材料高频基板的制备方法，其特征在于，所述的酰化反应和酯交换反应所用催化剂为醋酸钠、醋酸镁、醋酸锌、醋酸亚锡、醋酸铅、三氧化锑、醋酸钾的一种或任意几种复配。

6.根据权利要求3所述的液晶高分子材料高频基板的制备方法，其特征在于，所述的酰化反应和酯交换中所用的催化剂用量占单体投料总重量的0.2-0.5‰。

7.根据权利要求3所述的液晶高分子材料高频基板的制备方法，其特征在于，所述的溶剂为N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)的一种。

8.根据权利要求7所述的液晶高分子材料高频基板的制备方法，其特征在于，所述的溶剂其中优选为N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。

9.根据权利要求6所述的LCP的高频基板制备方法，其特征在于，所述的酰化反应和酯交换中所用的催化剂用量占单体投料其中优选为0.5‰。

10.根据权利要求2所述的液晶高分子材料的高频基板，其特征在于：所述的涂覆在铜箔上的液晶高分子材料的厚度为25-100μm。