[发明专利]一种利用氧化铝助熔剂生长二氧化铀晶体的方法有效
| 申请号： | 202010262675.9 | 申请日： | 2020-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN111334859B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 徐家跃;潘芸芳;李志超;周鼎;田甜 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B9/12 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 舒梦来 |
| 地址： | 200235 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 氧化铝 熔剂 生长 氧化 晶体 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用氧化铝助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将UO2-Al2O3原料按照摩尔配比10-50mol%UO2配料混合，将UO2-Al2O3原料进行压制成型为20×40mm圆柱体芯块；UO2原料纯度为99.99%，助熔剂Al2O3原料纯度为99.9%；
（2）将步骤（1）中的圆柱体芯块装入钨坩埚中，将钨坩埚放置石墨坩埚中，不超过坩埚体积的3/4；
（3）将步骤（2）中的石墨坩埚放置高频感应加热装置的感应线圈中间，石墨坩埚中间连接石墨管引至加热装置上端；
（4）将步骤（3）中的加热装置内部填充隔热粉以保温，利用高频感应加热法将原料充分熔融，缓慢冷却后得到二氧化铀单晶芯块；高频感应加热温度为至2100℃～2600℃，加热时间为4～5h，保温时间长12h；高频感应加热装置隔绝空气，在Ar/H2气氛下进行。
2.根据权利要求1所述的一种利用氧化铝助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，其特征在于，步骤（4）中高频感应加热装置由电流频率控制加热温度，加热过程产生的热量由感应铜线圈内部的冷却水带走热量保持系统温度恒定。
3.根据权利要求1所述的一种利用氧化铝助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，其特征在于，步骤（4）中，缓慢冷却来达到晶体生长的过饱和度，降温速率为5-8℃/h。
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