[发明专利]一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构及监控方法

权利要求书

1.一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，包括：单晶硅寸底(1)以及若干个湿法腐蚀凹槽(2)，其特征在于，若干个所述湿法腐蚀凹槽(2)开设在单晶硅寸底(1)上，所述湿法腐蚀凹槽(2)顶面为矩形，湿法腐蚀凹槽(2)与湿法腐蚀凹槽(2)的错位距离设置为1um，2um，3um……,(n-1)um，错位间距为所要监控的湿法腐蚀凹槽(2)开口宽度的腐蚀偏差。

2.根据权利要求1所述的一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，其特征在于，所述单晶硅寸底(1)的腐蚀面为100晶面。

3.根据权利要求1所述的一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，其特征在于，所述湿法腐蚀凹槽(2)数量为n个，n≥3。

4.根据权利要求1所述的一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，其特征在于，所述n个所述湿法腐蚀凹槽(2)的错位间距分别为1um，2um，3um…(n-1)um。

5.根据权利要求1所述的一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，其特征在于，所述n个所述湿法腐蚀凹槽(2)按照错位间距由小到大依次递增的顺序排列。

6.根据权利要求1所述的一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，其特征在于，所述n个所述湿法腐蚀凹槽(2)相互紧密排列。

7.根据权利要求1所述的一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、光刻板mask制版；步骤S2、光刻、刻蚀形成待腐蚀矩形窗口；步骤S3、湿法腐蚀；步骤S4、腐蚀监控；

步骤S1：在光刻板mask版图中加入监控图形，所述监控图形包括：n个用于湿法腐蚀的矩形窗口；

步骤S2：所述监控图形错位排列，错位间距由1um到(n-1)um依次递增的顺序排列，d1＝1um,d2＝2um,d3＝3um……d(n-1)＝(n-1)um；

步骤S3：根据具有监控图形的版图对单晶硅寸底(1)进行各向异性的湿法腐蚀，在单晶硅寸底(1)上形成所需监控的湿法腐蚀凹槽(2)以及用于监控该湿法腐蚀凹槽(2)宽度的监控结构；其中所述监控结构是根据所述监控图形腐蚀而成；

步骤S4：在步骤S3所述湿法腐蚀过程中或过程后，对监控结构进行监视，根据监视结果确定所需监控的湿法腐蚀凹槽(2)的开口宽度腐蚀偏差，从而实现对湿法腐蚀凹槽(2)开口宽度的监控；。

8.根据权利要求1所述的一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控方法，其特征在于，所述步骤S4根据监视结果确定所需监控的湿法腐蚀凹槽(2)的开口宽度的方法为：当错位间距d1齐平时即d1＝0时，则确定所需监控的湿法腐蚀凹槽(2)的实际腐蚀宽度CD2＝CD1+d1；当错位间距d2齐平时即d2＝0时，则确定所需监控的湿法腐蚀凹槽(2)的实际腐蚀宽度CD2＝CD1+d2；以此类推：湿法腐蚀凹槽(2)开口宽度CD2＝CD1+对应错位间距dn。