[发明专利]具有二极管耦合的隔离环的LDMOS

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，其特征在于，包括：

场效应晶体管(FET)，所述FET包括源极端、连接到主体区域的主体端和连接到漂移区域的漏极端，所述主体区域与所述漂移区域横向分离；

隔离环，所述隔离环被安置成横向包围所述FET；

掩埋层(BL)，所述BL位于所述FET下方并与所述隔离环接触；以及

二极管，所述二极管包括阳极和阴极，所述阳极电耦合到所述隔离环，并且所述阴极电耦合到所述FET的区域。

2.根据权利要求1所述的LDMOS，其特征在于，所述FET的所述区域包括由n型阱注入形成的上部部分，以及由p型阱注入形成的下部部分安置在所述上部部分与所述BL之间。

3.根据权利要求1所述的LDMOS，其特征在于，所述BL包括位于所述FET的所述区域下方的第一部分和位于所述FET的所述区域下方的第二部分，其中所述第二部分具有相对于所述第一部分更低的掺杂浓度。

4.一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，其特征在于，包括：

场效应晶体管(FET)，所述FET包括源极端、连接到主体区域的主体端和连接到漂移区域的漏极端；

隔离环，所述隔离环被安置成横向包围所述FET；

掩埋层(BL)，所述BL位于所述FET下方并与所述隔离环接触；以及

二极管，所述二极管包括阳极和阴极，所述阳极利用金属互连电耦合到所述隔离环，并且所述阴极电耦合到所述FET的区域。

5.根据权利要求4所述的LDMOS，其特征在于，所述FET的所述区域包括由n型阱注入形成的上部部分，以及由p型阱注入形成的下部部分安置在所述上部部分与所述BL之间。

6.根据权利要求4所述的LDMOS，其特征在于，所述BL包括位于所述FET的所述区域下方的第一部分和位于所述FET的所述区域下方的第二部分，其中所述第二部分具有相对于所述第一部分更低的掺杂浓度。

7.根据权利要求4所述的LDMOS，其特征在于，另外包括p型注入，所述p型注入安置在所述FET的所述区域与所述隔离环之间。

8.一种用于提高横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的击穿电压的方法，其特征在于，包括：

将场效应晶体管(FET)的第一阱偏置到第一电压，所述第一阱与所述第二阱横向分离；

响应于所述第一电压超过连接在隔离环与所述第一阱之间的二极管的击穿电压而将所述隔离环充电到第二电压，所述隔离环横向包围所述FET并接触在所述第一阱和所述第二阱下方延伸的掩埋层(BL)；以及

将衬底偏置到小于或等于所述第一电压的第三电压，所述衬底在所述BL下方横向延伸并接触所述BL。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述FET是P沟道FET(PFET)，所述第一阱是所述PFET的主体区域，所述第二阱是所述PFET的漂移区域，并且将所述隔离环充电到所述第二电压增加跨所述BL与所述漂移区域之间的纵向结的PFET击穿电压。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述FET是N沟道FET(NFET)，所述第一阱是所述NFET的漂移区域，所述第二阱是所述NFET的主体区域，并且将所述隔离环充电到所述第二电压增加了跨所述BL与所述主体区域之间的纵向结的NFET击穿电压。