[发明专利]一种高精密加工领域用磁性过滤器有效
申请号: | 202010263738.2 | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN111589577B | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 徐康升 | 申请(专利权)人: | 宁波西磁科技发展股份有限公司 |
主分类号: | B03C1/02 | 分类号: | B03C1/02;B03C1/30;B08B9/032 |
代理公司: | 慈溪夏远创科知识产权代理事务所(普通合伙) 33286 | 代理人: | 金弘毅 |
地址: | 315200 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 精密 加工 领域 磁性 过滤器 | ||
本发明公开一种高精密加工领域用磁性过滤器,涉及一种铁磁性废料过滤器,包括至少两个过滤罐,所述的过滤罐包括进液口和设置在进液口上方的出液口,所述的过滤罐内密封设置有衬套,所述的衬套内设置有可上下滑动的强磁棒,还包括清理器,所述的清理器包括处理室,所述的处理室上设置有清理进液口、清理出液口和排渣口,所述的处理室内设置有磁性滚轴和与之配合的刮板,所述的刮板连通所述排渣口。相比现有技术,本发明不仅能够有效去除亚微米级含铁杂质,还能真正做到长时间持续性不间断运行,同时过滤回路和排杂回路无共线,保证超长时间运行后过滤回路依然无污染。
技术领域
本发明涉及一种铁磁性废料过滤器,尤其涉及流体介质中微小铁磁性废料的过滤。
背景技术
在铁磁性材料的各种加工中需要大量的冷却液、切削液等工业流体介质,这些流体介质使用后都含有大量的铁磁性杂质,为了节省成本通常将这些流体介质过滤后重新循环利用。现有的过滤手段主要有屏障过滤,沉降过滤、涡旋分离过滤、真空过滤等。屏障过滤精度在10微米-20微米、且需要频繁更换过滤器材,沉降过滤无法去除微小颗粒,涡旋分离过滤在多数情况下小于10微米的杂质无法去除,真空过滤器可去除约1微米的颗粒。但这些过滤器的现有的过滤精度仍法达到高精密加工的要求,流体介质中的亚微米颗粒仍会对加工精度造成严重影响。为此在加工高精密度工件时会浪费大量的无法循环利用的流体介质,一台高精度加工中心一年在流体介质上的花费可达几十万元甚至百万元。
为了达到亚微米级的过滤效果,可以采用磁性过滤系统,采用高强度钕铁硼磁铁,可100%吸附包括亚微米级颗粒在内的含铁杂质。同时磁性过滤系统无耗材、运行不产生额外废物、没有附加成本、可长时间稳定持续运行,完全能达到高精密加工时的过滤要求。但是现有的磁性过滤系统中流体介质循环回路和杂质排出回路部分共线,且过滤和排出采用不同的除铁手段、除铁效果有差异,长久运行后会造成流体介质循环回路的污染,影响高精密度加工的效果。
发明内容
本发明针对现有技术中的不足,提供了一种高精密加工领域用磁性过滤器,不仅能够有效去除亚微米级含铁杂质,还能真正做到长时间持续性不间断运行,同时过滤回路和排杂回路无共线,保证超长时间运行后过滤回路依然无污染。普遍适用于电池材料的精细除铁、精细化工除铁、半导体材料精细除铁等。
为了解决上述技术问题,本发明通过下述技术方案得以解决: 一种高精密加工领域用磁性过滤器,包括至少两个过滤罐,所述的过滤罐包括进液口和设置在进液口上方的出液口,所述的过滤罐内密封设置有衬套,所述的衬套内设置有可上下滑动的强磁棒,还包括清理器,所述的清理器包括处理室,所述的处理室上设置有清理进液口、清理出液口和排渣口,所述的处理室内设置有磁性滚轴和与之配合的刮板,所述的刮板连通所述排渣口,还包括进液管和出液管,所述的进液管和所述出液管上分别设置有进液分歧器和出液分歧器,所述的进液分歧器和所述的出液分歧器上设置有控制阀,所述的进液分歧器连通所述的进液口和所述的清理进液口,所述的出液分歧器连通所述的出液口和所述的清理出液口;过滤罐使用时,液体介质循环为进液管-进液分歧器-进液口-出液口-出液分歧器-出液管,清理器使用时,液体介质循环为清理出液口-出液分歧器-出液口-进液口-进液分歧器-清理进液口;磁性过滤器工作时,始终至少有一个所述的过滤罐工作,所述的过滤罐和所述的清理器可同时工作。
上述技术方案中优选的,所述的过滤罐包括过滤段和机械段,所述的过滤段和机械段之间密封,所述的进液口设置在所述过滤段下部,所述的出液口设置在所述的过滤段上部,所述的衬套密封的设置在所述的过滤段内且面向所述机械段的一端设置有让所述强磁棒通过的开口,所述的机械段内设置有升降装置,所述的强磁棒在所述的升降装置作用下在衬套内滑动,所述衬套的顶部超过所述的出液口。
上述技术方案中优选的,所述的过滤罐内可设置有多个所述衬套和与之配合的所述强磁棒,当在所述的过滤罐内具有多个衬套时,所述衬套在所述过滤段内沿圆周方向均匀排列。
上述技术方案中优选的,所述的强磁棒磁场强度在10000Gs至20000Gs之间。
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