[发明专利]一种二次电子倍增膜涂覆在内壁的电磁波发生器有效
申请号: | 202010264063.3 | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN111383875B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 王战亮;柳建龙;程宏昌;宫玉彬;段兆云;巩华荣 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01J23/18 | 分类号: | H01J23/18;H01J23/24;H01J23/27;H01J23/02;H01J23/04 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 温利平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二次电子 倍增 膜涂覆 内壁 电磁波 发生器 | ||
1.一种二次电子倍增膜涂覆在内壁的电磁波发生器,包括:
阴极,用于发射电子,形成电子束,并传输到慢波结构内;
行波管或返波管的慢波结构或者速调管或回旋管的谐振腔,用于对电子束进行速度调制,形成群聚电子束团,群聚电子束团将能量交给电磁波,从而形成振荡的电磁波输出;
其特征在于,所述慢波结构或谐振腔内壁部分表面涂覆或溅射有二次电子倍增膜,所述二次电子倍增膜的二次电子发射系数大于3,所述电磁波发生器无聚焦磁场系统。
2.根据权利要求1所述的二次电子倍增膜涂覆在内壁的电磁波发生器,其特征在于,所述慢波结构为矩形交错双栅慢波结构,矩形交错双栅慢波结构的矩形栅上下内壁表面涂覆或溅射有二次电子倍增膜。
3.根据权利要求1所述的二次电子倍增膜涂覆在内壁的电磁波发生器,其特征在于,所述谐振腔为三腔速调管谐振腔,三腔速调管谐振腔的第一谐振腔与第二谐振腔之间的漂移管、以及第二谐振腔与第三谐振腔之间的漂移管的内壁表面涂覆或溅射有二次电子倍增膜。
4.根据权利要求1所述的二次电子倍增膜涂覆在内壁的电磁波发生器,其特征在于,所述慢波结构为螺旋线慢波结构,螺旋线慢波结构的螺旋线内壁表面涂覆或溅射有二次电子倍增膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010264063.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电视机
- 下一篇:一种基于3D打印微通道闭式循环水冷热电偶