[发明专利]具有横向蜿蜒栅极的场效应晶体管

说明书

本发明涉及具有横向蜿蜒栅极的场效应晶体管，揭示场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的方法。第一栅极电极具有连续设置的多个第一片段，以定义第一非直线链。第二栅极电极邻近该第一栅极电极设置。该第二栅极电极包括连续设置的多个第二片段，以定义第二非直线链。在该第一栅极电极与该第二栅极电极之间横向设置源/漏区。

技术领域

本发明涉及半导体装置制造及集成电路，尤其涉及场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的方法。

背景技术

场效应晶体管的装置结构通常包括本体区、定义于该本体区中的源极及漏极，以及经配置以切换在该本体区中在操作期间形成于沟道中的载流子流的栅极电极。当向该栅极电极施加超过指定阈值电压的控制电压时，该场效应晶体管被“开启”，且在该源极与漏极之间的该沟道中发生载流子流，从而产生装置输出电流。

互补金属-氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor；CMOS)电路可用于移动通信装置中(例如，便携式电脑、手机、平板电脑等)，以处理由该移动通信装置传输及/或接收的高频信号。位于芯片上的该电路可包括低噪声放大器以及高频开关，以允许天线所接收的高频信号自该低噪声放大器路由至其它芯片电路以及允许高频信号自功率放大器路由至该天线。该高频开关可包括通过CMOS制程所形成的场效应晶体管堆叠或组。

该场效应晶体管组可包括多个栅指，它们在装置布局中具有直线平行布置。源极及漏极设置于该相邻栅指之间的空间中。由于该栅指在该装置布局中的该直线平行布置，该场效应晶体管组可能占据很大的面积，从而使芯片上的可用空间的使用效率低下。

需要改进的场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的方法。

发明内容

在一个实施例中，提供一种场效应晶体管的结构。该结构包括：第一栅极电极，具有连续(in series)设置的多个第一片段，以定义第一非直线链；以及第二栅极电极，邻近该第一栅极电极设置。该第二栅极电极包括连续设置的多个第二片段，以定义第二非直线链。该多个第二片段横向偏离该第一栅极电极的该第一非直线链的该多个第一片段。该结构还包括横向设置于该第一栅极电极与该第二栅极电极之间的源/漏区。

在一个实施例中，提供一种形成场效应晶体管的方法。该方法包括：形成第一栅极电极，该第一栅极电极包括连续设置的多个第一片段，以定义第一非直线链；以及形成邻近该第一栅极电极设置的第二栅极电极。该第二栅极电极包括连续设置的多个第二片段，以定义第二非直线链。该多个第二片段横向偏离该第一栅极电极的该第一非直线链的该多个第一片段。在该第一栅极电极与该第二栅极电极之间横向设置源/漏区。

附图说明

包含于并构成本说明书的一部分的附图示例说明本发明的各种实施例，并与上面所作的有关本发明的概括说明以及下面所作的有关所述实施例的详细说明一起用以解释本发明的所述实施例。在所述附图中，类似的附图标记用以表示不同视图中的类似特征。

图1显示依据本发明的实施例处于制程方法的初始制造阶段的装置结构的顶视图。

图1A显示图1的部分的放大视图，其中，栅极电极角为直角。

图1B显示依据本发明的替代实施例的栅极结构的部分的类似图1的放大视图，且其中，该栅极电极角被斜切。

图2显示大体沿图1中的线2-2所作的剖视图。

图3显示处于图2之后的制造阶段的该装置结构的剖视图。

图4显示处于图3之后的制造阶段的该装置结构的剖视图。

图5显示简化顶视图，其中，大体沿线4-4作图4。

图6显示依据本发明的替代实施例处于制程方法的初始制造阶段的装置结构的剖视图。