[发明专利]反激式电源系统在审

专利信息
申请号: 202010264488.4 申请日: 2016-04-08
公开(公告)号: CN111490682A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 林元;杨东泽;吕华伟;方烈义 申请(专利权)人: 昂宝电子(上海)有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02H7/12
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 邓素敏
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 反激式 电源 系统
【说明书】:

提供了一种反激式电源系统,包括:变压器;控制芯片,包括第一检测电路和第二检测电路,其中变压器的辅助绕组的一端直接接地,另一端经由分压电路接地,第一检测电路和第二检测电路连接到控制芯片的同一个引脚,并且经由该引脚和热敏电阻连接到分压电路中的分压电阻之间的接线端,在变压器的退磁时间内,第一检测电路和第二检测电路交替进行过压保护检测和过温保护检测。

分案说明

本申请是申请日为2016年04月08日、申请号为201610218548.2、题为“反激式电源系统”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及电路领域,更具体地涉及反激式电源系统。

背景技术

一般,反激式电源系统通过变压器来隔离原边输入和副边输出,通过光耦把输出电压的信息反馈到位于原边侧的控制芯片,并且通过控制芯片中分别与控制芯片的不同引脚连接的过压/欠压保护(OVP/UVP)检测电路和过温保护(OTP)检测电路来触发过压/欠压保护和过温保护。

图1是传统的反激式电源系统的电路原理图。在图1中,T1是变压器,M1是诸如金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、或双极性晶体管之类的功率开关,Rs是电流采样电阻;OVP/UVP检测电路与脉冲宽度调制(PWM)控制器(即,控制芯片)的dem引脚连接,OTP检测电路与PWM控制器的otp引脚连接;误差放大与误差隔离电路基于输出电压Vo生成反馈到PWM控制器的FB引脚处的反馈电压VFB;反馈电压VFB控制PWM控制器的CS引脚处的电流采样电压VCS的峰值,从而控制输出电压Vo。

如图1所示,OTP检测电路经由热敏电阻RL(例如,负温度系数热敏NTC电阻)接地;PWM控制器的otp引脚流出固定电流IOTP;当温度正常时,热敏电阻RL的阻值较高,PWM控制器的otp引脚上的电压值高于PWM控制器内部设定的第一阈值电压OTP_ref,OTP检测电路不触发过温保护;当温度升高时,热敏电阻RL的阻值下降,PWM控制器的otp引脚上的电压值低于第一阈值电压OTP_ref,OTP检测电路触发过温保护。

如图1所示,OVP/UVP检测电路通过变压器T1的辅助绕组检测输出电压的信息;当功率开关M1开通时,能量被储存在变压器T1中;当功率开关M1关断时,变压器T1中储存的能量被释放到输出端;在变压器T1的退磁时间Toff内(即,变压器T1中储存的能量被释放到输出端的过程中),辅助绕组电压Vaux与输出电压Vo的关系如等式(1)所示,PWM控制器的dem引脚处的电压VDEM与辅助绕组电压Vaux和输出电压Vo的关系如等式(2)所示;当PWM控制器的dem引脚处的电压VDEM大于PWM控制器内部设定的第二阈值电压OVP_ref时,OVP/UVP检测电路触发过压保护;当PWM控制器的dem引脚处的电压VDEM小于PWM控制器内部设定的第三阈值电压UVP_ref时,OVP/UVP检测电路触发欠压保护:

Vaux=n·(Vo+VF) (1)

其中,n是变压器T1的辅助绕组的匝数Naux和副边绕组的匝数Nsec之比Naux/Nsec,即n=Naux/Nsec;VF是输出二极管D1的压降;k=R2/(R1+R2)为反馈系数。

图2示出了应用于图1所示的反激式电源系统中的OVP检测电路和OTP检测电路的电路原理图。图3示出了应用于图1所示的反激式电源系统中的OVP检测电路、UVP检测电路、和OTP检测电路的电路原理图。在图2和图3所示的电路中,OVP/UVP检测电路和OTP检测电路完全分离,需要分别与PWM控制器的两个引脚链接,外围电路复杂。

发明内容

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