[发明专利]发光装置、背光单元和显示设备

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

至少一个第一发光二极管芯片，其发射峰波长在410nm至430nm的范围内的第一光；

至少一个第二发光二极管芯片，其发射峰波长在440nm至460nm的范围内的第二光；

在由所述至少一个第一发光二极管芯片和所述至少一个第二发光二极管芯片发射的光的路径上的第一量子点，所述第一量子点将通过所述至少一个第一发光二极管芯片和所述至少一个第二发光二极管芯片发射的所述第一光和所述第二光的第一部分转换为峰波长在510nm至550nm的范围内的光；以及

在由所述至少一个第一发光二极管芯片和所述至少一个第二发光二极管芯片发射的光的路径上的第二量子点，所述第二量子点将通过所述至少一个第一发光二极管芯片和所述至少一个第二发光二极管芯片发射的所述第一光和所述第二光的第二部分转换为峰波长在610nm至660nm的范围内的光，

其中，在最终的光的发射光谱中，所述至少一个第一发光二极管芯片的峰波长的强度等于所述至少一个第二发光二极管芯片的峰波长的强度的15％或更少。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述至少一个第一发光二极管芯片的数量小于所述至少一个第二发光二极管芯片的数量。

3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述至少一个第一发光二极管芯片的大小等于所述至少一个第二发光二极管芯片的大小，并且所述至少一个第一发光二极管芯片的数量为一，并且所述至少一个第二发光二极管芯片的数量为多个。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述至少一个第一发光二极管芯片的大小小于所述至少一个第二发光二极管芯片的大小。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述至少一个第二发光二极管芯片的峰波长在445nm至460nm的范围内。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述至少一个第一发光二极管芯片的峰波长的强度在所述至少一个第二发光二极管芯片的峰波长的强度的3％至10％的范围内。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一量子点和所述第二量子点中的每一个包括InP/ZnS、InP/ZnSe、CdSe/CdS、CdSe/ZnS、PbS/ZnS、InP/ZnSe/ZnS和InP/GaP/ZnS中的至少一个。

8.根据权利要求1所述的发光装置，还包括波长转换膜，所述波长转换膜在通过所述至少一个第一发光二极管芯片和所述至少一个第二发光二极管芯片发射的光的路径上，所述波长转换膜包括具有所述第一量子点和所述第二量子点的透明树脂体。

9.根据权利要求8所述的发光装置，其中，所述第一量子点和所述第二量子点中的每一个包括InP/ZnS、InP/ZnSe和InP/ZnSe/ZnS中的至少一个，所述第一量子点占所述透明树脂体的5wt％至10wt％，所述第二量子点占所述透明树脂体的1wt％至5wt％。

10.一种发光装置，包括：

第一发光二极管芯片，其发射峰波长在410nm至430nm的范围内的第一光；

第二发光二极管芯片，其发射峰波长在440nm至460nm的范围内的第二光；以及

波长转换膜，其在通过所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片发射的光的路径上，所述波长转换膜包括第一量子点和第二量子点，以将通过所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片发射的光的一部分分别转换为第一峰波长的光和第二峰波长的光，

其中，所述第一峰波长在510nm至550nm的范围内，所述第二峰波长在610nm至660nm的范围内，并且在最终的光的发射光谱中，所述第一发光二极管芯片的峰波长的强度等于所述第二发光二极管芯片的峰波长的强度的15％或更少。