[发明专利]用于半导体结构图案化的方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在半导体结构上图案化硅硬掩模材料，所述半导体结构具有：

工作表面上的第一硅酸盐材料；

所述第一硅酸盐材料上的第一氮化物材料；

所述第一氮化物材料上的第二硅酸盐材料；以及

所述第二硅酸盐材料上的第二氮化物材料；

使用经过图案化的硬掩模形成穿过所述半导体结构的开口以形成支撑支柱；

在经过图案化的硬掩模材料上沉积底部电极；

在沉积所述底部电极之后，在所述半导体结构上形成硅内衬材料；以及

使用湿法蚀刻工艺去除所述硅内衬材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述硅硬掩模材料上沉积所述底部电极，其中所述底部电极包括沉积氮化钛材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述硅硬掩模材料包括形成多晶硅材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在去除所述硅硬掩模材料之后，在所述第二氮化物材料上形成所述硅内衬材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括图案化所述第一硅酸盐材料、所述第一氮化物材料、所述第二硅酸盐材料和所述第二氮化物材料的组合，到大于10,000埃的高度。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将硅硬掩模材料形成到范围介于500埃到5,000埃之间的高度。

7.一种方法，其包括：

图案化半导体结构，所述半导体结构具有：

工作表面上的第一硅酸盐材料；

所述第一硅酸盐材料上的第一氮化物材料；

所述第一氮化物材料上的第二硅酸盐；以及

所述第二硅酸盐材料上的第二氮化物材料；

在所述半导体结构上沉积底部电极；

在沉积所述底部电极之后，在所述第二硅酸盐材料的顶部上形成硅硬掩模材料；以及

去除所述硅硬掩模材料的一部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括使用湿法蚀刻工艺去除所述硅硬掩模材料的高度的60％。

9.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括图案化所述第一硅酸盐材料到介于2,000埃与6,000埃之间的高度。

10.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括去除所述硅硬掩模材料的一部分，到介于50埃与400埃之间的高度。

11.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括图案化所述第二硅酸盐材料到介于2,500埃与4,500埃之间的高度。

12.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括图案化所述第一氮化物材料到介于50埃与600埃之间的高度。

13.一种方法，其包括：

图案化半导体结构，所述半导体结构具有：

工作表面上的硼磷硅酸盐玻璃材料；

所述硼磷硅酸盐玻璃材料上的第一氮化物材料；

所述第一氮化物材料上的原硅酸四乙酯材料；以及

所述原硅酸四乙酯材料上的第二氮化物材料；

在沉积底部电极之后，在所述第二氮化物材料的顶部上形成硅硬掩模材料；

使用湿法蚀刻工艺去除所述硅硬掩模材料的一部分，以及

通过保留所述硅硬掩模材料的剩余部分获得介于0.1到2％毫微微法拉之间的电容增益。

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括在所述硅硬掩模材料的剩余部分上方图案化硅内衬材料，到范围介于50埃到500埃之间的高度。

15.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括图案化所述第二氮化物材料，到介于200埃与1,000埃之间的高度。