[发明专利]气压调控的磁控薄膜转印印章及转印方法有效
申请号: | 202010264725.7 | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN111446200B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 罗鸿羽;王苏浩;宋吉舟 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 万尾甜;韩介梅 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气压 调控 薄膜 印章 方法 | ||
1.一种气压调控的磁控薄膜转印印章,其特征在于,由印章主体、磁性薄膜和印章底面组装而成;所述的印章主体上设置有空腔阵列,印章主体顶端还开有与空腔连通的通气孔,磁性薄膜将空腔分为上下两层,上层为具有通气孔的上层空腔;下层为贯穿印章底部的下层空腔;对印章底面涂覆全氟硅烷,或者使用UV/Ozone光照进行氧化处理,以减小印章的界面粘附。
2.根据权利要求1所述的气压调控的磁控薄膜转印印章,其特征在于,所述的印章主体材料为无磁性的金属或亚克力。
3.根据权利要求1所述的气压调控的磁控薄膜转印印章,其特征在于,所述的印章底面材料为杨氏模量低于1MPa的高聚物材料。
4.根据权利要求1所述的气压调控的磁控薄膜转印印章,其特征在于,所述的磁性薄膜材料为杨氏模量高于50GPa且饱和磁感应性不低于1T磁性金属材料。
5.根据权利要求1所述的气压调控的磁控薄膜转印印章,其特征在于,印章主体材料与印章底面材料都为聚二甲基硅氧烷,印章主体材料的固化剂含量高于印章底面材料。
6.根据权利要求1所述的气压调控的磁控薄膜转印印章,其特征在于,磁性薄膜采用高聚物和磁性颗粒的混合材料,将磁性颗粒按照不同质量比例与高聚物混合得到磁性和模量都可调的磁性薄膜。
7.根据权利要求1所述的气压调控的磁控薄膜转印印章,其特征在于,所述的磁性薄膜具有三层结构,中间层为磁性材料,上下两层选用高聚物进行封装。
8.一种大规模可编程转印方法,其特征在于,基于如权利要求1-7任一项所述的印章实现,步骤如下:
拾取时,首先对印章施加竖直向下的磁场,磁性薄膜在磁场的作用下产生向下的变形,下层空腔的空气被排出,将印章按压在器件表面后撤去向下磁场,磁性薄膜回弹使得下层空腔产生负压,印章/器件界面处于强粘附状态,器件被成功拾取;
印刷时,保持向上的磁场不变将印章/器件移动到基底上方,撤去向上的磁场,外加更强的向下的磁场,薄膜产生更大的向下变形致使下层空腔产生正压,印章/器件界面处于弱粘附状态,器件被成功印刷。
9.根据权利要求8所述的大规模可编程转印方法,其特征在于,外加驱动为全局磁场时,驱动印章实现大规模高效转印;外加驱动为局部磁场时,驱动印章实现可编程图案化转印。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造