[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有沟槽；

于所述沟槽内形成第一导电层，所述第一导电层的顶部低于所述沟槽的顶部；

于所述第一导电层上形成介质层；

于所述介质层上形成第二导电层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述介质层为等电位介质层，所述等电位介质层能够使得所述第一导电层与所述第二导电层的电位相等。

3.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述等电位介质层的厚度小于20nm。

4.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述沟槽表面形成第一介质层，所述第一介质层延伸至所述沟槽顶部。

5.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述沟槽两侧分别形成源极和漏极，所述源极的底部低于所述漏极的底部，所述漏极的底部与所述等电位介质层在同一高度。

6.如权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，

在所述源极上形成位线连接插塞；

在所述漏极上形成存储节点插塞。

7.如权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述第一介质层表面形成阻挡层，所述阻挡层位于所述第一导电层和所述第一介质层之间，所述阻挡层延伸至所述第一导电层顶部。

8.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述等电位介质层的形成方法，包括：

采用沉积工艺形成等电位介质材料层，所述等电位介质材料层覆盖所述第一导电层的上表面、所述衬底的上表面和所述沟槽的侧壁；

去除位于所述衬底上表面的所述等电位介质材料层以形成所述等电位介质层，所述等电位介质层覆盖所述第一导电层的上表面以及所述第一导电层上方的所述沟槽的侧壁。

9.如权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述沉积工艺包括ALD、PECVD、LPCVD和MOCVD中的任一种。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，具有沟槽；

第一导电层，位于所述沟槽中，且所述第一导电层的顶部低于所述沟槽的顶部；

介质层，位于所述第一导电层上；以及

第二导电层，位于所述介质层上。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层为等电位介质层，所述等电位介质层能够使得所述第一导电层与所述第二导电层的电位相等。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述等电位介质层的厚度小于20nm。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述等电位介质层的厚度范围为1nm-8nm。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述等电位介质层的材料为绝缘材料。

15.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅中的任一种或其任意组合。

16.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层为金属导电层，所述第二导电层为半导体导电层。