[发明专利]半导体集成光学器件以及制造半导体集成光学器件的方法

说明书

本发明涉及一种半导体集成光学器件以及制造半导体集成光学器件的方法，所述半导体集成光学器件包括：波导台面，所述波导台面具有包括第一芯层的第一多层、包括第二芯层的第二多层以及第一芯层和第二芯层之间的对接界面；支撑件，所述支撑件具有第一区域至第三区域；以及掩埋式半导体区域，所述掩埋式半导体区域被设置在支撑件上。第一多层在第一区域上具有第一台面宽度。第二多层在第二区域上具有第二台面宽度。在第三区域上，第二多层具有波导部，所述波导部具有小于第一台面宽度和第二台面宽度的第三台面宽度。第二芯层在第二区域上具有波导芯厚度。在波导部中，第二芯层具有芯部，所述芯部的厚度在远离对接界面的位置处不同于波导芯厚度。

相关申请的交叉引用

本申请基于2019年4月11日提交的日本专利申请号2019-075578并要求其优先权权益，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体集成光学器件以及制造该半导体集成光学器件的方法。

背景技术

非专利文献1公开了一种包括激光元件和调制元件的脊型(ridge-type)集成光学器件。

非专利文献1：

Takahiko Shindo等人的“通过1570nm波长的SOA辅助扩展可达的EADFB激光器(AXEL)实现的超过9.0dBm的高调制输出功率(High Modulated Output Power Over9.0dBm With 1570-nm Wavelength SOA Assisted Extended Reach EADFB Laser(AXEL))”，IEEE量子电子学选题期刊，第23卷，第6期，2017年11月6日

发明内容

本公开提供了一种半导体集成光学器件，包括：波导台面，该波导台面具有包括第一元件的第一芯层的第一多层、包括第二元件的第二芯层的第二多层以及在第一芯层和第二芯层之间的对接界面；支撑件，该支撑件具有第一区域、第二区域和第三区域，该支撑件搭载波导台面；以及掩埋式半导体区域，该掩埋式半导体区域设置在支撑件上，其中第三区域设置在第一区域和第二区域之间，第一多层在从第三区域到第一区域的方向上从对接界面延伸，第二多层在从第三区域到第二区域的方向上从对接界面延伸，第一多层在第一区域上具有第一台面宽度，第二多层在第二区域上具有第二台面宽度，在第三区域上，第二多层具有波导部，该波导部具有小于第一台面宽度和第二台面宽度的第三台面宽度，第二芯层在第二区域上具有波导芯厚度，在该波导部中，第二芯层具有芯部，该芯部的厚度在远离对接界面的位置处不同于波导芯厚度。

本公开还提供一种制造半导体集成光学器件的方法，该方法包括以下步骤：制备外延基板，该外延基板包括用于第一元件的第一多层、包括有用于第二元件的第二芯层的第二多层、第一多层和第二多层之间的对接界面以及具有第一区域、第二区域和第三区域的基板，第三区域设置在第一区域和第二区域之间；在外延基板上形成波导掩模，该波导掩模具有在从第一多层到第二多层的方向上横跨对接界面延伸的波导图案；以及通过使用波导掩模蚀刻外延基板来形成波导台面，该波导台面具有第一多层、第二多层和对接界面，第一多层在从第三区域到第一区域的方向上从对接界面延伸，第二多层在从第三区域到第二区域的方向上从对接界面延伸，第一多层在第一区域上具有第一台面宽度，第二多层在第二区域上具有第二台面宽度，在第三区域上，第二多层具有波导部，该波导部具有小于第一台面宽度和第二台面宽度的第三台面宽度，第二芯层在第二区域上具有波导芯厚度，在该波导部中，第二芯层具有芯部，该芯部的厚度在远离对接界面的位置处不同于波导芯厚度。

附图说明

根据以下参考附图对本发明优选实施例的详细描述，将更好地理解前述和其它目的、方面和优点，其中：

图1A是示出根据本实施例的半导体集成光学器件的平面图。

图1B是示出沿着图1A中所示的Ib-Ib线截取的截面的视图。