[发明专利]一种聚硅氮烷陶瓷前驱体连接碳化硅陶瓷的方法在审
| 申请号： | 202010265086.6 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN111470878A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 程艳玲;杨盛凯;黎可旭;雷骏;张海南;魏世宏 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C04B37/00 | 分类号： | C04B37/00 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 张燕玲 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 聚硅氮烷 陶瓷 前驱 连接 碳化硅 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种聚硅氮烷陶瓷前驱体连接碳化硅陶瓷的方法，其特征在于包括以下操作步骤：
S1、将聚硅氮烷涂抹在清洗过的CVD碳化硅基底上，将另一块碳化硅覆盖在其表面；
S2、将样品放在石墨坩埚中，在低温中交联固化；
S3、经过交联固化处理后，再进行高温烧结。
2.根据权利要求1所述的一种聚硅氮烷陶瓷前驱体连接碳化硅陶瓷的方法，其特征在于：步骤S2中所述交联固化具体按照以下操作：氮气环境下，以5℃/min升温速率，加热至300℃保温1h，所述氮气保护的气氛流速≥0.12L/min。
3.根据权利要求1所述的一种聚硅氮烷陶瓷前驱体连接碳化硅陶瓷的方法，其特征在于：步骤S3中所述高温烧结具体按照以下操作：氮气气氛下，以速率为5℃/min升温速率升温至1000℃，然后以3℃/min升温速率升温至1200℃，最后以2℃/min升温速率升温至1300℃、1400℃或1500℃，并保温2h；所述氮气保护的气氛流速≥0.12L/min。
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