[发明专利]一种正面无电极的太阳能电池片及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池片，其特征在于，包括：

P型硅基体；

氧化物膜，其形成于所述P型硅基体的背面之上；

多晶/非晶硅层，其形成于所述氧化物膜之上；

背面钝化层，其形成于所述多晶/非晶硅层之上；

N型掺杂氮化硅层，其形成于所述背面钝化层之上；

P型电极；及

N型电极；

其中，所述P型硅基体具有重掺杂P型区域，所述P型电极依次穿过所述N型掺杂氮化硅层、所述背面钝化层、所述多晶/非晶硅层及所述氧化物膜以和所述P型硅基体的所述重掺杂P型区域形成欧姆接触，所述N型电极依次透过所述N型掺杂氮化硅层及所述背面钝化层以和所述多晶/非晶硅层形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述P型电极和所述N型电极交错设置且相互隔离，所述P型电极所占面积为所述太阳能电池片背面总面积的1~20%，所述N型电极所占面积大于所述P型电极所占面积。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于：所述P型电极具有第一本体和多个第一指状部，所述N型电极具有第二本体和多个第二指状部，所述第一本体和所述第二本体并列设置，所述第一指状部自所述第一本体向相邻的所述第二本体延伸，所述第二指状部自所述第二本体向相邻的所述第一本体延伸，至少部分的所述第一指状部和所述第二指状部位于所述第一本体和所述第二本体之间并交错设置，各所述第一指状部均与至少一个所述第二指状部相邻。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池片，其特征在于：所述第一指状部和/或所述第二指状部的长度大于所述第一本体和所述第二本体的间距的一半。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述P型硅基体掺杂有硼或镓，所述重掺杂P型区域掺杂有硼、铝、镓、铟中的一种或多种，所述重掺杂P型区域的掺杂浓度大于所述P型硅基体其他区域的掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述N型掺杂氮化硅层的掺杂元素为磷。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述氧化物膜为氧化硅膜；所述太阳能电池片还包括形成于所述P型硅基体之上的正面钝化层及形成在所述正面钝化层之上的减反射层。

8.一种如权利要求1-7任一项所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

A、在制绒后的硅片的背面制备氧化物膜；

B、在硅片的背面沉积多晶/非晶硅层；

C、在硅片的正面和背面分别沉积钝化层；

D、在硅片的正面沉积减反射层；

E、在硅片的背面沉积N型掺杂氮化硅层；

F、对所述N型氮化硅层、背面钝化层、所述多晶/非晶硅层及所述氧化物膜进行激光开槽形成图形化的开槽区域；

G、在所述开槽区域印刷P型电极浆料；

H、在硅片背面的非开槽区域印刷N型电极浆料；

I、烧结。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括位于所述步骤E或所述步骤F后的退火步骤。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述步骤E中，在PECVD设备中沉积所述N型掺杂氮化硅层，在沉积过程中通入掺杂源气。