[发明专利]基于运算放大器的控制电路有效
| 申请号： | 202010265332.8 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN111446932B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 石传波 | 申请（专利权）人： | 思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 周仁青 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 运算放大器 控制电路 | ||
1.一种基于运算放大器的控制电路，应用于ClassAB结构，其特征在于，所述控制电路包括：
上管侧主控制单元，包括上管侧第一运算放大器及作为ClassAB结构上管的第一MOS上管，上管侧第一运算放大器用于根据输入信号VIN和反馈信号VFB驱动第一MOS上管以产生输出电压信号VOUT，其中，第一MOS上管为PMOS管P1，PMOS管P1的栅极与上管侧第一运算放大器的第一输出端相连，源极和漏极分别与电源电压VCC和第二输出端相连，负载连接于PMOS管P1的漏极和GND之间；
上管侧辅助控制单元，包括上管侧第二运算放大器及上管侧第二MOS管，上管侧第二运算放大器及上管侧第二MOS管用于根据输入信号VIN和反馈信号VFB驱动第一MOS上管以产生输出电压信号VOUT，其中，上管侧第二MOS管为NMOS管N1，NMOS管N1的栅极与上管侧第二运算放大器的第三输出端相连，源极和漏极分别与GND和上管侧第一运算放大器的第一输出端相连；
下管侧主控制单元，包括下管侧第一运算放大器及作为ClassAB结构下管的第一MOS下管，下管侧第一运算放大器用于根据输入信号VIN和反馈信号VFB驱动第一MOS下管以产生输出电压信号VOUT，其中，第一MOS下管为NMOS管N3，NMOS管N3的栅极与下管侧第一运算放大器的第一输出端相连，源极和漏极分别与GND和第二输出端相连，负载连接于NMOS管N3的漏极和GND之间；
下管侧辅助控制单元，包括下管侧第二运算放大器及下管侧第二MOS管，下管侧第二运算放大器及下管侧第二MOS管用于根据输入信号VIN和反馈信号VFB驱动第一MOS下管以产生输出电压信号VOUT，其中，下管侧第二MOS管为PMOS管P3，PMOS管P3的栅极与下管侧第二运算放大器的第三输出端相连，源极和漏极分别与电源电压VCC和下管侧第一运算放大器的第一输出端相连；
其中，所述上管侧第二运算放大器的失调电压Voffset2大于上管侧第一运算放大器的失调电压Voffset1，所述下管侧第二运算放大器的失调电压大于下管侧第一运算放大器的失调电压。
2.根据权利要求1所述的基于运算放大器的控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：
由第一运算放大器及第一MOS上管或第一MOS下管构成的主控制通路，当VFB+Voffset2＞VIN时，第二MOS管截止，由主控制通路产生输出电压信号VOUT；
由第二运算放大器、第二MOS管及第一MOS上管或第一MOS下管构成的辅助控制通路，当VFB+Voffset2≤VIN时，第二MOS管导通，由辅助控制通路产生输出电压信号VOUT。
3.根据权利要求1所述的基于运算放大器的控制电路，其特征在于，上管侧第二运算放大器的供电电压VCC1与电源电压VCC相等。
4.根据权利要求1所述的基于运算放大器的控制电路，其特征在于，下管侧第二运算放大器的供电电压VCC1与电源电压VCC相等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司，未经思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010265332.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
