[发明专利]电流模式逻辑到互补金属氧化物半导体逻辑转换器

权利要求书

1.一种电路，其包括：

差分晶体管对，其耦合到电流源，所述差分晶体管对具有被配置成接收输入差分信号的输入端子对并且具有输出端子对；

第一电流镜，其耦合到所述输出端子对；

第二电流镜，其耦合到所述输出端子对和输出节点；

第三电流镜，其耦合到所述输出节点；以及

晶体管，其耦合到所述第三电流镜和所述第一电流镜。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二电流镜被配置成基于来自所述差分晶体管对的电流输出生成电流，以吸收被施加到所述输出节点的第一电流。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电流镜和第二电流镜被配置成基于来自所述差分晶体管对的电流输出生成电流，以吸收被施加到所述输出节点的第二电流。

4.根据权利要求1所述的电路，还包括耦合到所述输出节点和公共节点的电容器。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述差分晶体管对和所述晶体管包括双极结型晶体管。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电流镜和第二电流镜包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管。

7.根据权利要求1所述的电路，还包括：

电流模式逻辑到互补金属氧化物半导体信号转换器电路即CML到CMOS信号转换器电路，其耦合到中间节点并且被配置成接收所述输入差分信号；

电阻器，其耦合到所述中间节点和所述输出节点；以及

参考电路，其耦合到所述输出节点并且被配置成将电压施加到所述输出节点。

8.根据权利要求7所述的电路，其中所述CML到CMOS信号转换器电路被配置成基于所述输出差分信号将第一电流施加到所述输出节点，并且其中所述第二电流镜被配置成基于来自所述差分晶体管对的电流输出生成电流，以吸收所述第一电流。

9.根据权利要求7所述的电流，其中所述CML到CMOS信号转换器电路被配置成基于所述输入差分信号将第二电流施加到所述输出节点，并且其中所述第一电流镜和第三电流镜被配置成基于来自所述差分晶体管对的电流输出生成电流，以吸收所述第二电流。

10.一种电路，其包括：

电流模式逻辑到互补金属氧化物半导体信号转换器电路即CML到CMOS信号转换器电路，其耦合到中间节点并且被配置成接收CML输入差分信号；

电阻器，其耦合到所述中间节点和参考节点；

电流补偿电路，其耦合到所述参考节点并且被配置成接收所述CML输入差分信号；以及

参考电路，其耦合到所述参考节点并且被配置成将电压施加到所述参考节点。

11.根据权利要求10所述的电路，还包括耦合到所述参考节点和公共节点的电容器。

12.根据权利要求10所述的电路，还包括增益级，其耦合到所述中间节点并且被配置成输出CMOS信号。

13.根据权利要求12所述的电路，其中所述CML到CMOS转换器电路还被配置成接收CML电源电压，并且其中所述增益级还被配置成接收中间电源电压和CMOS电源电压。

14.根据权利要求13所述的电路，其中所述增益级包括第一增益级和第二增益级，其中所述第一增益级被配置成接收所述中间电源电压，并且其中所述第二增益级被配置成接收所述CMOS电源电压。

15.根据权利要求10所述的电路，其中所述参考电路还被配置成接收中间电源电压，并且其中施加到所述参考电路的所述电压大约是所述中间电源电压的一半。