[发明专利]近零厚度纳米孔制备及DNA测序方法在审
申请号: | 202010266327.9 | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN111440855A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 王德强;何石轩;周大明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
主分类号: | C12Q1/6869 | 分类号: | C12Q1/6869 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 杨柳岸 |
地址: | 400714 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 厚度 纳米 制备 dna 方法 | ||
1.近零厚度纳米孔制备及DNA测序方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:
S1:近零厚度纳米孔制备;
S2:近零厚度纳米孔DNA单碱基识别。
2.根据权利要求1所述的近零厚度纳米孔制备及DNA测序方法,其特征在于:所述S1具体为:
准备好氮化硅绝缘薄膜衬底;
利用电子束光刻技术,采用灰化工艺或侧墙工艺在氮化硅绝缘薄膜上形成硅纳米线,硅纳米线的尺寸将决定纳米孔的大小;其中,硅纳米线的厚度10-20纳米,宽度为5-10纳米,长度为50纳米-200纳米;
然后,在形成了硅纳米线的淡化硅绝缘薄膜上生长一层二氧化硅薄膜,将硅纳米线覆盖住,二氧化硅薄膜厚度15-25纳米;利用化学机械抛光法将硅纳米线曝露出来;
在暴露出来的硅纳米线垂直方向,利用前述电子束光刻技术形成第二层硅纳米线;其中,该硅纳米线的厚度10-20纳米,宽度为5-10纳米,长度为50纳米-200纳米;在其上生长一层二氧化硅,覆盖在硅纳米线上;
接着,使用光学或电子束光刻在芯片上端硅纳米线区域形成一个通气孔;使用反应离子刻蚀在底部的氮化硅薄膜上开一个窗口,窗口大小为10-20微米;
最后,利用二氟化氙XeF2将两层硅纳米线刻蚀掉,制作完成近零厚度的纳米孔。
3.根据权利要求1所述的近零厚度纳米孔制备及DNA测序方法,其特征在于:所述S2具体为:
利用制备好的近零厚度纳米孔,集成纳米孔检测器件,优选缓冲液浓度、PH值、溶液温度和驱动电压,采用膜片钳技术,实现DNA在近零厚度纳米孔传输时的弱电流信号检测,并利用化学计量学方法,提取DNA传输特征信息,结合贝叶斯推理、神经网络方法,实现DNA单碱基的识别。
4.根据权利要求3所述的近零厚度纳米孔制备及DNA测序方法,其特征在于:所述DNA传输特征信息包括阻塞时间、阻塞电流和基线电流。
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