[发明专利]一种集成电路测试不良品芯片处理设备

权利要求书

1.一种集成电路测试不良品芯片处理设备，其结构包括控制箱(1)、减速电机(2)、粉碎箱(3)、粉碎刀架(4)、筛分结构(5)、支撑脚架(6)，所述控制箱(1)与减速电机(2)电连接，所述粉碎刀架(4)安装于粉碎箱(3)内，所述减速电机(2)与粉碎刀架(4)机械连接，所述筛分结构(5)安装于支撑脚架(6)内侧，所述粉碎箱(3)下端与筛分结构(5)上端相焊接，其特征在于：

所述筛分结构(5)包括进料孔(51)、振动筛分结构(52)、外壳(53)、收集箱(54)，所述进料孔(51)与外壳(53)为一体化结构，所述振动筛分结构(52)安装于外壳(53)内部，所述收集箱(54)放置于外壳(53)内。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路测试不良品芯片处理设备，其特征在于：所述振动筛分结构(52)包括研磨过滤器(521)、振动结构(522)，所述研磨过滤器(521)下端与振动结构(522)上端相连接。

3.根据权利要求2所述的一种集成电路测试不良品芯片处理设备，其特征在于：所述研磨过滤器(521)包括滚筒结构(C1)、研磨腔体结构(C2)，所述滚筒结构(C1)安装于研磨腔体结构(C2)内部且活动连接。

4.根据权利要求3所述的一种集成电路测试不良品芯片处理设备，其特征在于：所述滚筒结构(C1)包括左连接轴套(C11)、滚筒(C12)、连接盘(C13)、第一齿轮环(C14)、转轴(C15)，所述转轴(C15)贯穿于滚筒(C12)上且固定连接，所述转轴(C15)嵌入安装于左连接轴套(C11)与连接盘(C13)上，所述转轴(C15)贯穿于第一齿轮环(C14)中心。

5.根据权利要求3所述的一种集成电路测试不良品芯片处理设备，其特征在于：所述研磨腔体结构(C2)包括通孔(C21)、连接块(C22)、过滤网架(C23)、支撑架(C24)，所述通孔(C21)与支撑架(C24)为一体化结构，所述连接块(C22)焊接于过滤网架(C23)下方，所述过滤网架(C23)安装于支撑架(C24)之间。

6.根据权利要求2所述的一种集成电路测试不良品芯片处理设备，其特征在于：所述振动结构(522)包括振动腔体结构(T1)、转动结构(T2)、缓冲支架(T3)，所述振动腔体结构(T1)内部安装有转动结构(T2)，所述振动腔体结构(T1)下端与缓冲支架(T3)上端活动连接。

7.根据权利要求6所述的一种集成电路测试不良品芯片处理设备，其特征在于：所述振动腔体结构(T1)包括撞击柱(TT1)、孔板(T12)、支撑座(T13)，所述撞击柱(TT1)焊接于支撑座(T13)上方，所述孔板(T12)焊接于支撑座(T13)之间。

8.根据权利要求6所述的一种集成电路测试不良品芯片处理设备，其特征在于：所述转动结构(T2)包括凸轮(T21)、连接盘(T22)、转动轴杆(T23)、第二齿轮环(T24)，所述转动轴杆(T23)与第二齿轮环(T24)固定连接，所述凸轮(T21)安装于转动轴杆(T23)两侧，所述转动轴杆(T23)嵌入安装于连接盘(T22)之间。