[发明专利]二氧化锡量子点材料及其制备方法，光电器件

权利要求书

1.一种二氧化锡量子点材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取锡源和亲水型配体；

在0℃～60℃的氧气氛围下，将所述锡源和所述亲水型配体混合处理，得到表面结合有亲水型配体的二氧化锡量子点材料。

2.如权利要求1所述的二氧化锡量子点材料的制备方法，其特征在于，所述锡源选自：二水合氯化亚锡、五水合氯化锡、四乙酸锡、乙酸亚锡、草酸亚锡、2-乙基己酸亚锡中的至少一种；和/或，

所述亲水型配体选自：2-乙基异硫脲氢溴酸盐、(2,3-二氟苯基)硫脲、(2,5-二氟苯基)硫脲、1,3-二异丙基-2-硫脲、3,5-二甲基苯基硫脲、4-氰基苯硫脲、4-氟苯硫脲、1-(3-羧苯基)-2-硫脲、1-(2-糠基)-2-硫脲中的至少一种；和/或，

所述亲水型配体的溶液中溶剂选自：水、乙醇、异丙醇中的至少一种。

3.如权利要求1或2所述的二氧化锡量子点材料的制备方法，其特征在于，所述锡源与所述亲水型配体的摩尔比为(1～50)：1；和/或，

所述二氧化锡量子点材料的粒径为2～3纳米。

4.如权利要求3所述的二氧化锡量子点材料的制备方法，其特征在于，将所述锡源和所述亲水型配体混合处理的步骤包括：将所述锡源添加到所述亲水型配体的溶液中形成混合体系后，搅拌处理。

5.一种二氧化锡量子点材料，其特征在于，所述二氧化锡量子点材料由如权利要求1～4任一所述的方法制得。

6.一种光电器件，其特征在于，包含有如权利要求5所述的二氧化锡量子点材料。

7.如权利要求6所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件包括由所述二氧化锡量子点材料构成的二氧化锡量子点材料层。

8.如权利要求7所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件包括依次叠层设置在衬底上的二氧化锡量子点材料层、钙钛矿层、空穴传输层和电极层。

9.如权利要求8所述的光电器件，其特征在于，所述二氧化锡量子点材料层的厚度为30～50纳米；和/或，

所述钙钛矿层的厚度为300～1000纳米。

10.如权利要求6～9任一所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件包括依次叠层设置在透明导电衬底上的所述二氧化锡量子点材料层、铷铯钾共掺杂钙钛矿体系层、2,2,7,7-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴层和金电极。