[发明专利]GaN半桥电路和GaN自举电源电压发生器电路

权利要求书

1.GaN半桥电路，包括：

GaN自举电源电压发生器，被配置为提供第一电源电压，该自举电源电压发生器包括：

开关节点，其中所述开关节点处的电压在第一开关节点电压与第二开关节点电压之间变化；

包括栅极的自举晶体管；

自举晶体管驱动电路，被配置为控制所述自举晶体管的栅极处的电压；以及

自举电容器，其与所述开关节点和所述自举晶体管连接，其中所述自举电容器被配置为在开关节点处的电压等于所述第二开关节点电压的同时供应给第一电源电压，其中所述自举晶体管被配置为在所述开关节点处的电压等于所述第一开关节点电压时将所述自举电容器与处于第二电源电压下的电源节点电连接，并且其中，所述自举晶体管驱动电路被配置为在所述开关节点处的电压等于第一开关节点电压时将所述自举晶体管的栅极与所述电源节点电连接，

其中，所述自举电源电压发生器不包括与所述自举晶体管的漏极和源极并联的二极管。

2.根据权利要求1所述的GaN半桥电路，还包括：

第一电源开关，其与所述开关节点连接并被配置为根据一个或多个控制信号有选择地将所述开关节点电连接到第一电源；以及

第一电源开关驱动器，被配置为基于所述一个或多个控制信号来控制所述第一电源开关的导电状态。

3.根据权利要求2所述的GaN半桥电路，其中，所述自举电容器被配置为将所述第一电源电压供应给所述第一电源开关驱动器。

4.根据权利要求3所述的GaN半桥电路，还包括：

第二电源开关，其与所述开关节点连接，并被配置为根据所述一个或多个控制信号有选择地将所述开关节点电连接到第二电源端子；以及

第二电源开关驱动器，被配置为基于所述一个或多个控制信号来控制所述第二电源开关的导电状态。

5.根据权利要求4所述的GaN半桥电路，其中，所述自举晶体管驱动电路包括：

逻辑电路；

高电压产生电路，被配置为产生高电压；以及

驱动器电路，包括驱动高电路和驱动低电路，

其中，所述逻辑电路被配置为接收第一信号和第二信号，并基于所述第一信号和第二信号来生成用于所述驱动高电路和所述驱动低电路的控制信号，其中，所述驱动器电路被配置为响应于来自逻辑电路的控制信号而利用高电压或低电压驱动所述自举晶体管，其中高电压大于低电压，其中第一信号使第二电源开关能导电，其中所述自举晶体管驱动电路被配置为在第二电源开关能导电时，使所述自举晶体管能导电，并且其中，所述自举晶体管驱动电路被配置为在第二电源开关能导电时，使所述自举晶体管不能导电。

6.根据权利要求4所述的GaN半桥电路，其中，所述自举晶体管驱动电路被配置为响应于来自所述第二电源开关驱动器的第一信号和第二信号来驱动所述自举晶体管，并且其中，所述第一信号是所述第二信号的延迟版本。

7.根据权利要求1所述的GaN半桥电路，其中，所述自举电源电压发生器不包括与所述自举晶体管的漏极和源极并联的寄生二极管。

8.根据权利要求1所述的GaN半桥电路，其中，所述自举晶体管驱动电路被配置为，通过使自举晶体管处的电压比基本固定电压电源的电压大比所述自举晶体管的阈值电压大的量，在所述自举电容器与所述自举晶体管之间的连接处的电压小于基本固定电压电源的电压时，有条件地使所述自举晶体管将电流从基本固定电压电源传导至所述自举电容器，并且其中，所述自举晶体管被配置为，通过使所述自举晶体管的栅极处的电压实质上等于基本固定电压电源的电压，在所述自举电容器与所述自举晶体管之间的连接处的电压比所述基本固定电压电源处的电压小比所述自举晶体管的阈值电压大的量时，有条件地将电流从所述基本固定电压电源传导至所述自举电容器。