[发明专利]一种低温好氧反硝化细菌的培育方法

权利要求书

1.一种低温好氧反硝化细菌的培育方法，包括以下步骤：

A)将好氧池活性污泥在富集培养基中曝气培养，得到低温好氧反硝化混合菌群；所述曝气培养的温度为25～35℃；

所述富集培养基以水配制，其中包括：葡萄糖1.0～2.0g/L，NaNO₃0.606～3.636g/L，K₂HPO₄ 1.0～2.0g/L，FeSO₄ 0.5～1.0g/L，CaCl₂0.2～0.5g/L，MgSO₄ 1.0～2.0g/L，NaCl0.5～1g/L，柠檬酸钠7～8.5g/L；

B)将所述低温好氧反硝化混合菌群在第一培育培养基中进行第一曝气培养；所述第一曝气培养的温度为15～25℃；

所述第一培育培养基以水配制，其中包括：NaNO₃0.606～1.212g/L，KH₂PO₄ 1.0～2.0g/L，FeSO₄ 0.5～1.0g/L，CaCl₂0.2～0.5g/L，MgSO₄ 1.0～2.0g/L，NaCl 0.5～1g/L，柠檬酸钠7～8.5g/L，1％溴百里酚蓝指示剂0.5～1mL/L；

C)将步骤B)得到的混合菌群在第二培育培养基中进行第二曝气培养，得到低温好氧反硝化细菌；所述第二曝气培养的温度为5～15℃；

所述第二培育培养基以水配制，其中包括：NaNO₃0.606～1.212g/L，KH₂PO₄ 1.0～2.0g/L，FeSO₄ 0.5～1.0g/L，CaCl₂0.2～0.5g/L，MgSO₄ 1.0～2.0g/L，NaCl 0.5～1g/L，柠檬酸钠7～8.5g/L，1％溴百里酚蓝指示剂0.5～1mL/L。

2.根据权利要求1所述的培育方法，其特征在于，所述步骤C)之后还包括：

D)将步骤C)得到的低温好氧反硝化细菌在液体验证培养基中验证。

3.根据权利要求2所述的培育方法，其特征在于，所述液体验证培养基以水配制，其中包括：NaNO₃ 1.212～2.424g/L，KH₂PO₄1.0～2.0g/L，FeSO₄ 0.5～1.0g/L，CaCl₂ 0.2～0.5g/L，MgSO₄ 1.0～2.0g/L，NaCl 0.5～1g/L，柠檬酸钠7～8.5g/L，1％溴百里酚蓝指示剂0.5～1mL/L。

4.根据权利要求1或2所述的培育方法，其特征在于，步骤A)中，所述曝气培养的溶解氧为2.0～5.0mg/L；步骤B)中，所述第一曝气培养的溶解氧为2.0～5.0mg/L；步骤C)中，所述第二曝气培养的溶解氧为2.0～5.0mg/L。

5.根据权利要求1或2所述的培育方法，其特征在于，步骤A)、步骤B)和步骤C)的培养过程中独立的按照以下方法培养：

每天检测总氮指标和总氮指标，总氮浓度降至10mg/L以下后更换培养基，培养基初始硝态氮浓度为100mg/L，同一硝态氮浓度培养基更换3～5次；之后更换培养基时提高硝态氮浓度，每次梯度为50～100mg/L，直至硝态氮浓度达到400～600mg/L且降解量达到390～590mg/L·d时培养结束。

6.根据权利要求1或2所述的培育方法，其特征在于，步骤A)、步骤B)和步骤C)中培养后的菌群的处理方法独立的为：

将得到的菌群沉降2～4h，弃上清，留沉淀，沉淀占培养体系的比例为25％～45％。

7.根据权利要求1或2所述的培育方法，其特征在于，所述富集培养基的pH为6.5～7，所述第一培育培养基的pH为6.5～7，所述第二培育培养基的pH为6.5～7。

8.根据权利要求1或2所述的培育方法，其特征在于，所述第一培育培养基和所述第二培育培养基均经过了120～150℃灭菌20～30min。