[发明专利]一种晶圆清洗设备在审
申请号: | 202010267527.6 | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN111446153A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 庞浩;尹影;徐俊成;江伟 | 申请(专利权)人: | 北京烁科精微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/677;H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 刘林涛 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 设备 | ||
本发明提供了一种晶圆清洗设备,属于半导体制造设备技术领域,包括:干燥室、等离子清洗腔室和传输组件,所述传输组件设置在所述等离子清洗腔室的一侧;所述传输组件具有适于将晶圆从干燥室移动至等离子清洗腔室的真空吸盘;所述等离子清洗腔室上连接有真空系统,所述真空系统分别适于对所述等离子清洗腔室和所述真空吸盘进行抽真空操作;本发明提供的晶圆清洗设备,传输组件适于将晶圆从干燥室移动至等离子清洗腔室,传输组件中用于抓取晶圆的部位为真空吸盘,通过抽取真空使晶圆附着在真空吸盘上,并通过机械手对晶圆进行移动,避免了机械手对晶圆的卡合操作和卡合操作中对晶圆的机械损害。
技术领域
本发明涉及半导体制造设备技术领域,具体涉及一种晶圆清洗设备。
背景技术
在制造工艺过程中,CMP(化学机械抛光)设备主要用于对晶圆在膜沉积工艺后的微观粗糙表面进行全局平坦化处理,以便进行后续的半导体工艺过程。经过CMP设备处理后的晶圆需要进行清洗,清洗设备主要有以下功能模块:晶圆传输单元,兆声清洗单元,刷洗清洗单元,化学液供给单元等。过程中首先由兆声发生器对清洗化学溶液产生震动,槽体内的温度和化学液浓度在适宜范围,从而确保清洗效果。再由刷洗单元配合清洗化学溶液对晶圆进行两道刷洗工艺。在清洗设备中移动晶圆一般采用机械手卡合或抓取的方式,由于晶圆的厚度较薄,机械手的抓取部易对晶圆造成机械损害。
发明内容
因此,本发明提供一种机械手不会对晶圆造成机械损害的晶圆清洗设备。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种晶圆清洗设备,包括:
干燥室、等离子清洗腔室和传输组件,所述传输组件设置在所述等离子清洗腔室的一侧;
所述传输组件具有适于将晶圆从干燥室移动至等离子清洗腔室的真空吸盘;
所述等离子清洗腔室上连接有真空系统,所述真空系统分别适于对所述等离子清洗腔室和所述真空吸盘进行抽真空操作。
作为一种优选的技术方案,所述传输组件包括:
所述真空吸盘;
第一抽真空管,一端连接在所述真空吸盘上,另一端连接在所述真空系统上。
作为一种优选的技术方案,所述真空吸盘的直径小于晶圆直径,且所述真空吸盘上均匀分布有若干吸孔。
作为一种优选的技术方案,在真空吸盘的吸孔周围设有橡胶垫。所述橡胶垫与所述吸孔相对应的部位设置有透气孔。
作为一种优选的技术方案,所述传输组件还包括
基座;
机械手,设置在所述基座上,真空吸盘转动安装在机械手的一端。
作为一种优选的技术方案,还包括有架体,竖直方向具有三层,所述干燥室、等离子清洗腔室和真空系统从上至下依次设置,所述传输组件设置在架体一侧。
作为一种优选的技术方案,所述机械手为三自由度机械手,所述三自由度机械手适于带动所述真空吸盘沿所述架体在高度方向上进行移动。
作为一种优选的技术方案,所述等离子清洗腔室与所述真空系统之间设置有第二抽真空管。
本发明技术方案,具有如下优点:
1.本发明提供的晶圆清洗设备,传输组件适于将晶圆从干燥室移动至等离子清洗腔室,传输组件中用于抓取晶圆的部位为真空吸盘,通过抽取真空使晶圆附着在真空吸盘上,并通过机械手对晶圆进行移动,避免了机械手对晶圆的卡合操作和卡合操作中对晶圆的机械损害。
2.本发明提供的晶圆清洗设备,第一抽真空管将真空吸盘和真空系统连接在一起,第二抽真空管将等离子清洗腔室和真空系统连接在一起,使真空系统可以对真空吸盘和等离子清洗腔室进行抽真空操作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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