[发明专利]多层次三维存储器的擦除方法

说明书

一种多层次三维存储器的擦除方法，该多层次三维存储器包括多个层次与多个区块，各这些层次包括多个字线。该擦除方法包括：在擦除这些区块的一被选区块时，在一目前回合中，从这些层次选择至少一层次以被一第一擦除电压所擦除；判断该至少一层次是否通过擦除验证；以及如果判断该至少一层次通过擦除验证，在一下一回合时，对通过擦除验证的该至少一层次则禁止被擦除。

技术领域

本发明属于存储器技术领域，涉及一种多层次(multi-tier)三维存储器的擦除方法。

背景技术

随着存储器储存密度增加，目前已发展出三维(3D)存储器。在三维存储器中，多条字线会被分群为多层次(tier)，例如双层次或三层次等。每一条字线亦可被称为一层(layer)，因为这些字线是以水平方式排列。

在对三维存储器进行擦除操作时，是以区块(block)为单位。一个区块包括多个单元。进行擦除操作时，被选区块的所有单元都低于擦除验证(erase verify)电压的话，该被选区块才视为擦除成功。然而，在擦除过程中，对于同一被选区块中，有些单元的阈值电压已经低于擦除验证电压但可能其他单元的阈值电压尚未低于擦除验证电压。如果是这样的话，则要提高擦除电压，来对被选区块的这些单元降低其阈值电压。但是，提高后的擦除电压也是一样会持除阈值电压已经低于擦除验证电压的这些单元，这样对于阈值电压已经低于擦除验证电压的这些单元可能造成进一步的损坏。

故而，本公开提出一种多层次三维存储器的擦除方法，以期解决上述或其他问题。

发明内容

根据本公开的一实例，提出一种多层次三维存储器的擦除方法，该多层次三维存储器包括多个层次与多个区块，各这些层次包括多个字线，该擦除方法包括：在擦除这些区块的一被选区块时，在一目前回合中，从这些层次选择至少一层次以被一第一擦除电压所擦除；判断该至少一层次是否通过擦除验证；以及如果判断该至少一层次通过擦除验证，在一下一回合时，对通过擦除验证的该至少一层次则禁止被擦除。

根据本公开的一实例，提出一种多层次三维存储器的擦除方法，该多层次三维存储器包括多个层次与多个区块，各这些层次包括多个字线，该擦除方法包括：在擦除这些区块的一被选区块时，在一目前回合中，从这些层次选择一第一层次群组以被一第一擦除电压所擦除，而从这些层次选择一第二层次群组以禁止被擦除，其中，该第一层次群组与该第二层次群组的群组成员不互相重复；判断所选的该第一层次群组是否通过擦除验证；以及如果判断所选的该第一层次群组通过擦除验证，在一下一回合时，从这些层次选择一第三层次群组以被一第二擦除电压所擦除，而从这些层次选择一第四层次群组以禁止被擦除，其中，该第三层次群组与该第四层次群组的群组成员不互相重复，且该第三层次群组包括该第一层次群组。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下：

附图说明

图1显示根据本公开一实施例的三维存储器的功能方框图。

图2显示根据本公开一实施例的三维存储器阵列的示意图。

图3A显示根据本公开一实施例的三维存储器阵列的一种字线分群示意图。图3B至图3D显示图3A的几种擦除操作流程图。

图4A显示根据本公开一实施例的三维存储器阵列的另一种字线分群示意图。图4B至图4D显示图4A的几种擦除操作流程图。

图5显示根据本公开一实施例的三维存储器阵列的俯视图与其电压施加条件。

【符号说明】

100：三维存储器

110：三维存储器阵列 120：控制器

SSL：串选择线 GSL：整体选择线

DWT0，DWT1，DWB0，DWB1：冗余字线