[发明专利]一种调制结构的n型碲化铋基热电材料及其制备方法

权利要求书

1.一种调制结构的n型碲化铋基热电材料，其特征在于：包括成分为n型Bi₂Te₃和Bi₂Te_3-xSe_x等摩尔比混合粉末，Bi₂Te₃粉末的纯度≥99.99wt％，Bi₂Te₃粉末的粒径≤500μm，Bi₂Te_3-xSe_x粉末的纯度≥99.99wt％，Bi₂Te_3-xSe_x粉末的粒径≤500μm，其中0.1≤x≤0.9，该调制结构的n型碲化铋基热电材料晶体原子内部结构为调制结构，其制备步骤如下：

步骤一：按照n型Bi₂Te₃和Bi₂Te_3-xSe_x的物质的量之比为1∶1配料，其中0.1≤x≤0.9，然后混合均匀，得混合粉末；

步骤二：将所述混合粉末装入球磨罐中，在惰性气氛条件下球磨1～12h，制得n型Bi₂Te₃和Bi₂Te_3-xSe_x等摩尔比混合粉末，其中0.1≤x≤0.9；

步骤三：将所述n型Bi₂Te₃和Bi₂Te_3-xSe_x等摩尔比混合粉末装入模具，其中0.1≤x≤0.9，置于等离子体活化烧结炉内，然后同时开始匀速升温和匀速升压，同时升至温度为400～550℃和升至压强为30～100MPa，保温和保压的时间均为3～20min，再同时开始匀速降温和匀速降压，同时降至常温和常压；

步骤四：取出烧结后的模具，脱模，即得调制结构的n型碲化铋基热电材料。

2.根据权利要求1所述的一种调制结构的n型碲化铋基热电材料，其特征在于：所述步骤二中球磨罐设备为高能行星球磨机，球料质量比为(10～30)∶1，所述高能行星球磨机的转速为100～600r/min。

3.根据权利要求1所述的一种调制结构的n型碲化铋基热电材料，其特征在于：所述步骤三中匀速升温的速率为10～100℃/min，匀速降温的速率为10～50℃/min。