[发明专利]一种低缺口敏感性的共晶高熵合金及其制备方法在审
申请号: | 202010267842.9 | 申请日: | 2020-04-08 |
公开(公告)号: | CN111321336A | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 刘亮;张微;赵作福;商剑;张越;王冰;齐锦刚 | 申请(专利权)人: | 辽宁工业大学 |
主分类号: | C22C30/00 | 分类号: | C22C30/00;C22C1/02;B22D18/06 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 周婷 |
地址: | 121001 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 缺口 敏感性 共晶高熵 合金 及其 制备 方法 | ||
1.一种低缺口敏感性的共晶高熵合金,其特征在于,其组成按照原子比为Al:Co:Cr:Fe:Ni=x:w:k:z:y;
其中,w=k=z=0.9~1;x=0.8~0.9;y=1.9~2。
2.一种低缺口敏感性的共晶高熵合金的制备方法,其特征在于,基于铜模吸铸的真空电弧熔炼方法制备,具体包括如下步骤:
步骤1:在水冷铜坩埚的第一个熔炼池内放入高纯钛锭,再将Al、Co、Cr、Fe、Ni单质纯金属原料放入第二个熔炼池内,
其中,金属原料的放入顺序根据Al、Co、Cr、Fe、Ni的熔点从低到高,从下到上依次放入;
步骤2:将电弧炉工作腔抽真空至4×10-3~6×10-3Pa,再通入高纯氩气作为保护气体;
步骤3:对第一个熔炼池内的高纯钛锭进行熔炼,且熔炼电流为190~210A,熔炼时间为80~100s;
步骤4:对第二个熔炼池内的金属原料进行熔炼,且熔炼电流为190~210A,熔炼时间为80~100s,等待3min后,翻转铸锭,重复熔炼6~7次,调节熔炼电流至300~350A,待铸锭熔化至熔融状,进行铜模吸铸获得共晶高熵合金。
3.如权利要求2所述的低缺口敏感性的共晶高熵合金的制备方法,其特征在于,在所述步骤1中,按照Al:Co:Cr:Fe:Ni=x:w:k:z:y的原子比称取Al、Co、Cr、Fe、Ni单质纯金属原料,其中,w=k=z=0.9~1;x=0.8~0.9;y=1.9~2。
4.如权利要求2所述的低缺口敏感性的共晶高熵合金的制备方法,其特征在于,在所述步骤2中,将所述电弧炉工作腔抽真空包括:
通冷却水,并关闭扩散泵阀门,对扩散泵预热30~40min;
对所述电弧炉工作腔进行抽真空,当气压降至2×10-1Pa时,开启扩散泵,将气压抽至4×10-3~6×10-3Pa,并充入氩气。
5.如权利要求2所述的低缺口敏感性的共晶高熵合金的制备方法,其特征在于,在所述步骤3中,通过钨电极对所述第一个熔炼池内的高纯钛锭进行熔炼,且起弧电流小于等于60~70A。
6.如权利要求2所述的低缺口敏感性的共晶高熵合金的制备方法,其特征在于,在所述步骤4中,通过钨电极对所述第二个熔炼池内的金属原料进行熔炼,且起弧电流小于等于60~70A。
7.如权利要求2或3所述的低缺口敏感性的共晶高熵合金的制备方法,其特征在于,在所述步骤1中,称取Al、Co、Cr、Fe、Ni单质纯金属原料后,切割为块状或者棒材状,并依次放入所述第二个熔炼池内。
8.如权利要求7所述的低缺口敏感性的共晶高熵合金的制备方法,其特征在于,在所述步骤1中,所述Al、Co、Cr、Fe、Ni单质纯金属原料的纯度大于等于99.99%。
9.如权利要求2、3或4所述的低缺口敏感性的共晶高熵合金的制备方法,其特征在于,重复操作所述步骤2,2~3次。
10.如权利要求2、3、4或5所述的低缺口敏感性的共晶高熵合金的制备方法,其特征在于,重复操作所述步骤3,2~3次。
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