[发明专利]低温可喷施剥离型放射性污染去污剂的制备及使用方法有效
申请号: | 202010268357.3 | 申请日: | 2020-04-08 |
公开(公告)号: | CN111303704B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 林晓艳;付登峰;谢宇;潘训海;李健;李战国;罗学刚 | 申请(专利权)人: | 西南科技大学;中国人民解放军军事科学院防化研究院 |
主分类号: | C09D131/04 | 分类号: | C09D131/04;C09D151/02;C09D197/00;C09D129/14;C09D5/20;C09D7/63;C09D7/65;C08B37/18;C08F251/00;C08F220/14;C08F226/02;G21F9/00 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人: | 张忠庆 |
地址: | 621010 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低温 喷施 剥离 放射性 污染 去污剂 制备 使用方法 | ||
1.一种低温可喷施剥离型放射性污染去污剂的制备方法,其特征在于,包括以下过程:
按重量份,将0.5~10份改性生物质和0.5~8份的聚乙烯醇缩丁醛加入到100份溶剂Ⅰ中,搅拌溶解10~24小时,再加入0.1~5份去污助剂和0.1~1份增塑剂,搅拌溶解0.5~10h,超声波脱气处理0.2~1h,得到去污剂;
所述改性生物质为重量比为1:1~5的改性菊粉和木质素共混制得;所述木质素为醇溶木质素;
所述改性菊粉的制备方法为:按重量份,将10~20份菊粉加入50份水中,然后放入65~75℃的烘箱中,烘干,形成菊粉干膜;将菊粉干膜放置到低温等离子体处理仪反应腔内,采用N2低温等离子处理,设置放电时间5~8min,放电功率150~250W,N2进气量在80~120sccm,得到预处理的菊粉;按重量份,将预处理的菊粉15~25份加入超临界反应装置中,同时加入3~5份烯丙基硫脲、1~3份丙烯酸甲酯、0.01~0.05份引发剂和3~5份水,然后将体系密封,通入二氧化碳至15~30MPa、温度50~65℃下反应1~3小时,然后卸去二氧化碳压力,并将得到的反应料液经离心后干燥得到粗产物;将所述粗产物粉碎后置于索氏提取器中以丙酮为溶剂提取24~48h,得到改性菊粉;所述引发剂为质量比为1:4的高锰酸钾和硫酸;
所述聚乙烯醇缩丁醛的重均分子量为90000~120000,比重1.083,玻璃化温度62~72℃;所述的去污助剂为植物多酚、柠檬酸、乙二胺四乙酸二钠、草酸、酸性氨基酸及表面活性剂中的一种或两种以上的混合物;所述的增塑剂为甘油、硬脂酸、磷酸三丁酯、邻苯二甲酸二辛酯、乙二醇、聚乙二醇及山梨醇中一种或两种以上的混合。
2.如权利要求1所述的低温可喷施剥离型放射性污染去污剂的制备方法,其特征在于,所述的溶剂Ⅰ为体积比为1:0~1的乙醇和溶剂Ⅱ的混合溶剂;所述溶剂Ⅱ为乙酸乙酯或水。
3.如权利要求1所述的低温可喷施剥离型放射性污染去污剂的制备方法,其特征在于,所述的溶剂Ⅰ为体积比为0~1:1的乙醇和溶剂Ⅱ的混合溶剂;所述溶剂Ⅱ为乙酸乙酯或水。
4.如权利要求1所述的低温可喷施剥离型放射性污染去污剂的制备方法,其特征在于,所述的植物多酚为茶多酚、杨梅单宁、没食子酸、橡椀栲胶、单宁酸、黑荆栲胶的一种或两种以上的混合;所述酸性氨基酸为谷氨酸和天冬氨酸的一种或者两者的混合;所述的表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠、 十二烷基磺酸钠、石油磺酸盐中的一种或者两者以上的混合物;其中,杨梅单宁的单宁含量≥70%,没食子酸的单宁含量≥95%,橡椀栲胶的单宁含量≥65.0%,单宁酸的单宁含量≥80%,黑荆栲胶的单宁含量≥70.%。
5.一种如权利要求1~4任一项所述的制备方法制备的低温可喷施剥离型放射性污染去污剂的使用方法,其特征在于,包括:在-30~0℃下将去污剂喷涂在有放射性污染的材料表面,并在-30~0℃下干燥固化成膜10~24h后,将其剥离,即完成去污过程;其中,所述有放射性污染的材料为不锈钢、塑料、玻璃、瓷砖、醇酸漆板中的任意一种。
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