[发明专利]一种霍山石斛取母斛分栽栽培方法在审
申请号: | 202010269823.X | 申请日: | 2020-04-08 |
公开(公告)号: | CN111328646A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 李林 | 申请(专利权)人: | 安徽霍山麟鼎轩生物科技有限公司 |
主分类号: | A01G22/00 | 分类号: | A01G22/00;A01G2/00;A01G24/10;A01G24/28;A01G24/12;A01B79/02;A01C21/00;A01G13/00 |
代理公司: | 重庆憨牛知识产权代理有限公司 50261 | 代理人: | 蒲艳紫 |
地址: | 237200 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 霍山 石斛 取母斛分栽 栽培 方法 | ||
1.一种霍山石斛取母斛分栽栽培方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1、选择种植地,种植地选择背阳的北坡,有遮阴环境的地方,或选择南坡林分郁闭度为0.6~0.8的地方;
S2、整地做床,在床基上铺设栽培基质,栽培基质采用草木燃烧后灰尘;
S3、选取健壮、无病虫害的霍山石斛大苗为母斛,将母斛分株;
S4、在4~6月份栽植,植栽时,将分出的植株植入基质内,在植株周围覆盖上一层青苔;
S5、栽植后进行田间管理和病虫害防治;
S6、栽植后每年4~6月进行分栽,并重复步骤S3至S5。
2.根据权利要求1所述的一种霍山石斛取母斛分栽栽培方法,其特征在于:所述S1中种植地的主要条件包括海拔300m~600m、年降水量1500mm~1600mm、空气湿度70%~90%、年平均气温12~15摄氏度、PM2.5年平均空气质量指数2~4ugm/2,负氧离子年平均1250~1350个、弱酸性或中性土壤。
3.根据权利要求2所述的一种霍山石斛取母斛分栽栽培方法,其特征在于:所述S1中种植地选择霍山县西北部白莲崖。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的一种霍山石斛取母斛分栽栽培方法,其特征在于:所述S2中栽培基质可选择石子、花岗岩、树皮、锯末、菌种废弃料等,按一定比例混合而成,也可选择树下树叶、树枝形成的腐殖土配以石子,按一定比例混合而成。
5.根据权利要求4所述的一种霍山石斛取母斛分栽栽培方法,其特征在于:所述S4中分出的植株根系完整。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽霍山麟鼎轩生物科技有限公司,未经安徽霍山麟鼎轩生物科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010269823.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:异丁酰胺衍生物及其用途
- 下一篇:一种霍山石斛的天然仿野生学种植方法