[发明专利]一种霍山石斛取母斛分栽栽培方法在审
| 申请号： | 202010269823.X | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111328646A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 李林 | 申请（专利权）人： | 安徽霍山麟鼎轩生物科技有限公司 |
| 主分类号： | A01G22/00 | 分类号： | A01G22/00;A01G2/00;A01G24/10;A01G24/28;A01G24/12;A01B79/02;A01C21/00;A01G13/00 |
| 代理公司： | 重庆憨牛知识产权代理有限公司 50261 | 代理人： | 蒲艳紫 |
| 地址： | 237200 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 霍山 石斛 取母斛分栽 栽培 方法 | ||
1.一种霍山石斛取母斛分栽栽培方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、选择种植地，种植地选择背阳的北坡，有遮阴环境的地方，或选择南坡林分郁闭度为0.6～0.8的地方；
S2、整地做床，在床基上铺设栽培基质，栽培基质采用草木燃烧后灰尘；
S3、选取健壮、无病虫害的霍山石斛大苗为母斛，将母斛分株；
S4、在4～6月份栽植，植栽时，将分出的植株植入基质内，在植株周围覆盖上一层青苔；
S5、栽植后进行田间管理和病虫害防治；
S6、栽植后每年4～6月进行分栽，并重复步骤S3至S5。
2.根据权利要求1所述的一种霍山石斛取母斛分栽栽培方法，其特征在于：所述S1中种植地的主要条件包括海拔300m～600m、年降水量1500mm～1600mm、空气湿度70％～90％、年平均气温12～15摄氏度、PM2.5年平均空气质量指数2～4ugm/2，负氧离子年平均1250～1350个、弱酸性或中性土壤。
3.根据权利要求2所述的一种霍山石斛取母斛分栽栽培方法，其特征在于：所述S1中种植地选择霍山县西北部白莲崖。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的一种霍山石斛取母斛分栽栽培方法，其特征在于：所述S2中栽培基质可选择石子、花岗岩、树皮、锯末、菌种废弃料等，按一定比例混合而成，也可选择树下树叶、树枝形成的腐殖土配以石子，按一定比例混合而成。
5.根据权利要求4所述的一种霍山石斛取母斛分栽栽培方法，其特征在于：所述S4中分出的植株根系完整。
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