[发明专利]基板金属结构蚀刻方法、TFT制备方法、TFT以及显示装置在审
| 申请号： | 202010269874.2 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111415865A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 吕波;蔡良毅 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/336;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 何辉 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属结构 蚀刻 方法 tft 制备 以及 显示装置 | ||
1.一种基板金属结构蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
分别向第一蚀刻设备的腔室内灌入蚀刻液和第一惰性气体，腐蚀待处理基板上的裸露的第一层金属以及预设厚度的第二层金属，得到第一蚀刻基板；所述第一层金属位于所述第二层金属上；
将所述第一蚀刻基板放置在第二蚀刻设备的腔室内，并分别向第二蚀刻设备的腔室内灌入蚀刻气体和第二惰性气体，腐蚀第一蚀刻基板上的裸露的剩余的第二层金属，得到蚀刻完成的基板。
2.根据权利要求1所述的基板金属结构蚀刻方法，其特征在于，所述第一惰性气体为氩气、氦气、氖气、氪气、氙气或氡气；
所述第二惰性气体为氩气、氦气、氖气、氪气、氙气或氡气。
3.根据权利要求1所述的基板金属结构蚀刻方法，其特征在于，所述第一层金属为阴极金属；所述第二层金属为阳极金属。
4.根据权利要求3所述的基板金属结构蚀刻方法，其特征在于，所述第一层金属为铜；所述第二层金属为钼。
5.根据权利要求1所述的基板金属结构蚀刻方法，其特征在于，所述第一层金属与所述第二层金属的厚度比为3000/500，3000/1000或3000/1500。
6.根据权利要求1所述的基板金属结构蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻液为过氧化氢；
所述蚀刻气体为六氟化硫或氯气。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的基板金属结构蚀刻方法，其特征在于，所述第一惰性气体的流量范围为10至200升每分钟。
8.一种TFT制备方法，其特征在于，包括如权利要求1至7中任意一项所述的基板金属结构蚀刻方法。
9.一种TFT，其特征在于，包括权利要求8所述的TFT制备方法制备得到。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的TFT。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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