[发明专利]开关电流源电路及开关电流源快速建立方法有效
申请号: | 202010270340.1 | 申请日: | 2020-04-08 |
公开(公告)号: | CN113364278B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 印健;江立新;俞惠 | 申请(专利权)人: | 澜起电子科技(昆山)有限公司 |
主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 施婷婷 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关 电流 电路 快速 建立 方法 | ||
1.一种开关电流源电路,其特征在于,所述开关电流源电路至少包括:
并联连接于负载一端的第一开关电流源支路及第二开关电流源支路,所述第一开关电流源支路及所述第二开关电流源支路用于调节流经所述负载的电流;
开关使能信号跳变时,所述第一开关电流源支路中偏置节点发生与所述开关使能信号的跳变方向相同的正抖动,所述第二开关电流源支路中偏置节点发生与所述开关使能信号的跳变方向相反的负抖动,所述正抖动与所述负抖动相互抵消,使得流经所述负载的电流在开关切换时得以快速建立;
其中,所述偏置节点为接收偏置电压的晶体管在所述开关使能信号跳变时发生抖动的端口。
2.根据权利要求1所述的开关电流源电路,其特征在于:
所述第一开关电流源支路包括第一NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管;所述第一NMOS管的漏极连接所述负载,栅极连接所述开关使能信号,源极连接所述第二NMOS管的漏极;所述第二NMOS管的栅极连接偏置电压,源极连接所述第三NMOS管的漏极;所述第三NMOS管的栅极连接高电压,源极接地;
所述第二开关电流源支路包括第四NMOS管、第五NMOS管及第六NMOS管;所述第四NMOS管的漏极连接所述负载,栅极连接高电压,源极连接所述第五NMOS管的漏极;所述第五NMOS管的栅极连接所述偏置电压,源极连接所述第六NMOS管的漏极;所述第六NMOS管的栅极连接所述开关使能信号,源极接地。
3.根据权利要求2所述的开关电流源电路,其特征在于:所述开关电流源电路还包括第七NMOS管;所述第七NMOS管的漏极连接所述负载,栅极连接预设电压,源极连接所述第一NMOS管及所述第四NMOS管的漏极。
4.根据权利要求2或3所述的开关电流源电路,其特征在于:所述开关电流源电路还包括第一电流源;所述第一电流源的一端连接所述第一NMOS管及所述第四NMOS管的漏极,另一端接地。
5.根据权利要求1所述的开关电流源电路,其特征在于:
所述第一开关电流源支路包括第一PMOS管、第二PMOS管及第三PMOS管;所述第一PMOS管的漏极连接所述负载,栅极连接低电压,源极连接所述第二PMOS管的漏极;所述第二PMOS管的栅极连接偏置电压,源极连接所述第三PMOS管的漏极;所述第三PMOS管的栅极连接所述开关使能信号,源极接电源;
所述第二开关电流源支路包括第四PMOS管、第五PMOS管及第六PMOS管;所述第四PMOS管的漏极连接所述负载,栅极连接所述开关使能信号,源极连接所述第五PMOS管的漏极;所述第五PMOS管的栅极连接所述偏置电压,源极连接所述第六PMOS管的漏极;所述第六PMOS管的栅极连接低电压,源极接电源。
6.根据权利要求5所述的开关电流源电路,其特征在于:所述开关电流源电路还包括第七PMOS管;所述第七PMOS管的漏极连接所述负载,栅极连接预设电压,源极连接所述第一PMOS管及所述第四PMOS管的漏极。
7.根据权利要求5或6所述的开关电流源电路,其特征在于:所述开关电流源电路还包括第二电流源;所述第二电流源的一端连接所述第一PMOS管及所述第四PMOS管的漏极,另一端接电源。
8.一种开关电流源电路,其特征在于,所述开关电流源电路至少包括:
连接负载一端的一开关电流源支路,所述开关电流源支路用于调节流经所述负载的电流;
开关使能信号跳变时,所述开关电流源支路中第一偏置节点发生与所述开关使能信号的跳变方向相同的正抖动,所述开关电流源支路中第二偏置节点发生与所述开关使能信号的跳变方向相反的负抖动,所述正抖动与所述负抖动相互抵消,使得流经所述负载的电流在开关切换时得以快速建立;
其中,所述偏置节点为接收偏置电压的晶体管在所述开关使能信号跳变时发生抖动的端口。
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