[发明专利]一种版图热点聚类方法、装置及设备

说明书

本发明公开了一种电路版图热点聚类方法，其包括如下步骤：S1，获取电路版图文件；S2，从所述电路版图文件中获取待分类的版图区域块；S3，根据所述待分类的版图区域块生成版图区域块关联图G＝(C,E)。其中C＝{c₁,c₂,…,c_n}表示版图区域块集合，E＝{e_1,2,e_1,3,…,e_n‑1,n}所有边的集合；其中所述边E的生成为：在所述任意两个版图区域块的距离小于一预设值时生成对应两个版图区域块的边；S4，获取所述版图区域块关联图G的补图G’＝(C,E’)。其中边集E’与E互补；S5，计算所述关联图G的补图G’的最大团，并获取所述最大团中版图区域的数目；S6；根据所述版图区域的数目进行聚类。提高了电路版图热点聚类的效率。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，具体来说，涉及一种版图热点聚类方法。

背景技术

在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻。光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂(光刻胶)，感光后因光化学反应，将掩模板上的图形刻蚀到被加工表面上。随着超大规模集成电路技术的飞速发展，晶体管的特征尺寸变得越来越小，电路设计版图也越来越复杂，给电路光刻技术带来了巨大的挑战。

当前，光的波长已达到了193nm限制，远远大于晶体管现有的特征尺寸。当将标准的电路设计版图刻蚀到硅片上时，光的衍射作用使得硅片上的电路图案改变，产生缺陷，又被称为热点。这些热点极有可能在电路的运行中产生开路或短路现象，烧毁电路，导致芯片成品率降低，带来巨大的经济损失。因此，必须要在光刻之前，预测定位到可能的热点区域，并对其进行设计修复，以避免后续光刻缺陷。

通常热点是通过光刻模拟或机器学习检测方法来预测的。但由于芯片问题规模庞大，为了降低问题规模，需要将版图热点图像进行分类，对于每个分类选出代表性热点图像。这样，问题缩小为针对每类的代表性图像进行处理，而不是一个个版图样本。因此，版图图像分类的个数成为分类的优化目标。

本文提供的背景描述用于总体上呈现本公开的上下文的目的。除非本文另外指示，在该章节中描述的资料不是该申请的权利要求的现有技术并且不要通过包括在该章节内来承认其成为现有技术。

发明内容

针对相关技术中的上述技术问题，本发明提出一种版图热点聚类方法方法，能够获取版图图像分类的个数，并根据所述个数进行聚类。

为实现上述技术目的，本发明的实施例提供了一种电路版图热点聚类方法，其包括如下步骤：

S1，获取电路版图文件；

S2，从所述电路版图文件中获取待分类的版图区域块；

S3，根据所述待分类的版图区域块生成版图区域块关联图G＝(C,E)。其中C＝{c₁,c₂,…,c_n}表示版图区域块集合，E＝{e_i,j}表示版图区域块连接关系的边集合；所述e_i,j为版图区域块c_i和c_j连接边，存在版图区域块c_k，且c_k与c_i，c_k与c_j之间的距离均小于第一阈值；

S4，获取所述版图区域块关联图G的补图G’＝(C,E’)。其中边集E’与E互补；

S5，计算所述关联图G的补图G’的最大团，并获取所述最大团中版图区域的数目；

S6；根据所述版图区域的数目进行聚类。

进一步地，在步骤S3之前还包括：合并相同的待分类的版图区域块得到版图区域块集合C，其中所述相同的待分类版图区域块为水平翻转、垂直翻转、水平加垂直翻转。