[发明专利]一种面向倍频应用的氮化镓双向导通二极管以及制作方法

权利要求书

1.一种面向倍频应用的氮化镓双向导通二极管，其特征在于，包括由下至上布置的蓝宝石衬底层(1)、AlN缓冲层(2)、N型GaN层一(3)、本征GaN层(4)、N型GaN层二(5)，电极层一(6)位于N型GaN层二(5)之上，电极层二(7)位于N型GaN层一(3)之上，电极层二(7)环绕N型GaN层一(3)侧壁外侧，电极层一(6)及电极层二(7)构成一对电极结构，N型GaN层一(3)及N型GaN层二(5)构成两层N型掺杂区，本征GaN层(4)构成一层本征区，其中，N型GaN层一(3)与N型GaN层二(5)的掺杂类型相同、掺杂浓度相等，刻蚀N型GaN层一(3)、本征GaN层(4)和N型GaN层二(5)至N型GaN层一(3)并生长电极层二(7)，通过调整电极层二(7)的所在深度，达到正反偏置电压下，器件电流的绝对数值对称。

2.一种如权利要求1所述的面向倍频应用的氮化镓双向导通二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：选择蓝宝石衬底作为蓝宝石衬底层(1)，并且在此蓝宝石衬底层(1)上生长氮化铝缓冲层作为AlN缓冲层(2)；

S2：基于含AlN缓冲层(2)的蓝宝石衬底层(1)，依次生长氮化镓层，包括N型GaN层一(3)、本征GaN层(4)和N型GaN层二(5)，其中，N型GaN层一(3)的厚度为1μm、n型掺杂、掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3，本征GaN层(4)的厚度为1μm、不掺杂，N型GaN层二(5)的厚度为500nm、n型掺杂、掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3；

S3：在N型GaN层二(5)上生长一层二氧化硅层(8)；

S4：二氧化硅层(8)经过刻蚀后形成特定的掩膜层；

S5：基于掩膜层，继续刻蚀氮化镓层至N型GaN层一(3)；

S6：去除掩膜层；

S7：生长电极层，经过光刻后分别形成两个独立的电极层一(6)和电极层二(7)。