[发明专利]半导体互连结构、其制作方法及半导体芯片

权利要求书

1.一种半导体互连结构，包括金属互连线层，其特征在于，所述金属互连线层包括：

多段金属互连线，每段金属互连线的长度小于预设长度；以及，

在相邻两段金属互连线之间设置的接触窗，所述相邻两段金属互连线通过所述接触窗连接。

2.根据权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述接触窗包括：

接触互连线；以及，

在所述接触互连线两侧设置的第一金属阻挡层，所述接触互连线与相邻的金属互连线通过所述第一金属阻挡层连接。

3.根据权利要求2所述的半导体互连结构，其特征在于，所述半导体互连结构还包括：

介电层，所述金属互连线镶嵌于所述介电层中；

第二金属阻挡层，所述第二金属阻挡层位于所述每段金属互连线的侧壁和底壁；

蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述金属互连线层上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体互连结构，其特征在于，所述金属互连线和所述接触配线的制作材料不同。

5.根据权利要求4所述的半导体互连结构，其特征在于，所述接触配线的制作材料为钨、钛、氮化钛或钴。

6.根据权利要求3所述的半导体互连结构，其特征在于，所述半导体互连结构还包括与所述金属互连线之一接触的接触塞，所述接触塞位于所述介电层中。

7.根据权利要求6所述的半导体互连结构，其特征在于，所述接触塞与接触的金属互连线的材料相同。

8.一种半导体互连结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，该半导体基底上具有半导体器件层；

在所述半导体基底上形成介电层；

嵌入于所述介电层形成至少两条短于预设长度的金属互连线，其中相邻的金属互连线之间为接触窗区域；

刻蚀去除接触窗区域中的介电层形成接触窗沟槽；

在所述接触窗沟槽中形成接触配线。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述嵌入于所述介电层形成至少两条短于预设长度的金属互连线，包括：

在所述介电层顶部刻蚀形成凹槽；

在凹槽中形成金属互连线。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在凹槽中形成金属互连线，包括：先在凹槽中形成第二金属阻挡层。

11.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀去除接触窗区域中的介电层形成接触窗沟槽，包括：

在所述介电层之上形成光刻胶图案，并露出所述接触窗区域；

对所述接触窗区域进行刻蚀，从而形成接触窗沟槽。

12.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述接触窗沟槽中形成接触配线，包括：

在整个半导体基体上淀积一层接触配线材料层；

通过化学机械研磨(CMP)去除接触窗外多余的接触配线材料层。

13.一种半导体芯片，其特征在于，包括：

如权利要求1至7任一项所述的半导体互连结构。