[发明专利]一种光学临近效应修正方法及装置

说明书

本发明公开了一种光学临近效应修正方法及装置，其中，光学临近效应修正方法包括：获取原始目标图形，并对所述原始目标图形进行预处理，形成二次目标图形，使得二次目标图形满足预设工艺规则；将所述二次目标图形进行光学临近效应修正处理，获取修正图形；根据所述修正图形获取所述原始目标图形的模拟轮廓；计算所述模拟轮廓与所述原始目标图形之间的偏差；根据所述偏差值判断所述修正图形是否满足工艺需求。本发明提供了一种光学临近效应修正方法及装置，以解决现有光学临近效应修正后，光刻图形失真严重的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光学临近效应修正方法及装置。

背景技术

随着集成电路元件缩小化以及集成化，各膜层的关键尺寸越来越小，在半导体工艺中，往往通过光刻将掩膜图形转移至硅片上形成各膜层图形，但是各元件的尺寸减小，光刻的准确率越低。

具体的，在光刻过程中，因为光的干涉效应和衍射效应，使得硅片上实际的光刻图形与掩膜图形之间存在一定的畸变和偏差，即光学临近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。光学临近效应可能使得直角转角被圆角化、光刻图案的直线线宽增加或缩减等。为了避免由于OPE导致的光刻图案失真，现有技术采用了光学临近修正(Optical ProximityCorrection，OPC)方法，对掩膜图形进行预先的修改，使得修改后的图形能够尽量弥补OPE造成的缺陷，然后将修改后的掩膜图形转移至硅片上产生光刻图形。

在实际应用中，由于原始目标图形的多样化，光刻图案和原始目标图形之间还存在差异，并且在某些情况下，会出现光刻图案轮廓无法覆盖目标轮廓，使得光刻图形失真严重的问题。图形畸变主要表现为线宽偏移、线条变短、遗漏图案或连条、角部变圆等特征。光刻图形的失真直接影响器件性能，从而降低生产成品率。

发明内容

本发明实施例提供了一种光学临近效应修正方法及装置，以解决现有光学临近效应修正后，光刻图形失真严重的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种光学临近效应修正方法，包括：

获取原始目标图形，并对所述原始目标图形进行预处理，形成二次目标图形，使得二次目标图形满足预设工艺规则；

将所述二次目标图形进行光学临近效应修正处理，获取修正图形；

根据所述修正图形获取所述原始目标图形的模拟轮廓；

计算所述模拟轮廓与所述原始目标图形之间的偏差；根据所述偏差值判断所述修正图形是否满足工艺需求。

第二方面，本发明实施例还提供了一种光学临近效应修正装置，用于执行本发明任意实施例提供的光学临近效应修正方法，包括：

二次处理模块，用于获取原始目标图形，并对所述原始目标图形进行预处理，形成二次目标图形，使得二次目标图形满足预设工艺规则；

修正模块，用于将所述二次目标图形进行光学临近效应修正处理，获取修正图形；

轮廓模块，用于根据所述修正图形获取所述原始目标图形的模拟轮廓；

偏差计算模块，计算所述模拟轮廓与所述原始目标图形之间的偏差；

迭代模块，用于循环调用所述修正模块和所述轮廓模块，直到所述偏差计算模块获取的所述偏差值满足工艺需求。